时间：2025/6/26 22:25:57
阅读：5
RF15N0R7B500CT 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 功率晶体管，采用增强型场效应晶体管 (e-mode HEMT) 技术。该器件专为高频和高效率应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于射频功率放大器、通信系统以及工业和医疗设备等领域。
这款 GaN 晶体管以其卓越的电气性能和热稳定性而著称，同时能够显著提升系统的整体效率并减少体积与重量。
型号：RF15N0R7B500CT
类型：GaN e-mode HEMT
漏源电压 (Vds)：150 V
连续漏极电流 (Id)：7 A
导通电阻 (Rds(on))：50 mΩ
栅极电荷 (Qg)：25 nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3L
RF15N0R7B500CT 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可降低传导损耗，从而提高系统效率。
2. 高开关速度和低栅极电荷，有助于减少开关损耗并支持高频操作。
3. 良好的热稳定性和耐高压能力，适合在恶劣环境下使用。
4. 小尺寸封装设计，节省 PCB 空间，适用于紧凑型解决方案。
5. 宽禁带半导体材料 (GaN) 提供比传统硅器件更优越的性能，特别是在高频和高温条件下表现优异。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性和抗干扰能力。
RF15N0R7B500CT 的典型应用包括：
1. 射频功率放大器 (RF PAs)，用于无线通信基站和雷达系统。
2. 工业激光器驱动电路。
3. 医疗成像设备中的脉冲电源。
4. 高效 DC-DC 转换器和逆变器。
5. 新能源汽车中的车载充电器和电机控制器。
6. 无线电能传输 (WPT) 和其他高频能量转换系统。
其高效率和小体积特点使其成为现代电力电子应用的理想选择。
RF15N0R7B400CT
RF15N0R7B600CT
