时间：2025/9/29 20:23:52
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CM20TF-12H是一款由Comchip Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用共阴极双二极管配置。该器件设计用于高效、高速的开关应用，特别适用于需要低正向电压降和快速恢复特性的电路中。CM20TF-12H封装在小型SOD-323（SC-76）封装中，具有较小的占板面积，适合高密度PCB布局。其主要特点是具备20V的重复峰值反向电压（VRRM）、每芯片1A的平均整流电流能力，以及低至0.49V的典型正向导通电压（在IF=1mA条件下），使其在便携式电子设备和电源管理系统中表现出色。
该二极管采用先进的硅外延制造工艺，确保了稳定的电气性能和良好的热稳定性。由于其快速开关特性，CM20TF-12H广泛应用于DC-DC转换器、电压钳位电路、续流二极管、极性保护电路以及信号整流等场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无铅认证，适用于现代绿色电子产品制造流程。CM20TF-12H的工作结温范围为-55°C至+125°C，能够在较宽的环境温度范围内稳定运行，增强了其在工业与消费类电子中的适应性。
型号：CM20TF-12H
制造商：Comchip Semiconductor
封装类型：SOD-323 (SC-76)
二极管配置：共阴极双二极管
重复峰值反向电压 VRRM：20V
直流阻断电压 VR：20V
平均整流电流 IO（每芯片）：1A
正向压降 VF1（典型值）：0.49V @ IF=1mA
正向压降 VF2（最大值）：0.83V @ IF=1A
反向漏电流 IR（最大值）：0.1μA @ VR=20V
浪涌电流 IFSM（峰值）：30A
工作结温范围 TJ：-55°C 至 +125°C
存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
反向恢复时间 trr：≤ 4ns（典型值）
热阻抗 RθJA：350°C/W（典型值）
CM20TF-12H具备优异的高频开关性能，得益于其肖特基势垒结构，该器件实现了极短的反向恢复时间（trr ≤ 4ns），远低于传统PN结二极管，从而显著降低了开关损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性使其非常适合用于高频DC-DC变换器和开关电源中的续流或整流环节。由于没有少子存储效应，肖特基二极管在关断过程中几乎不会产生反向恢复电流尖峰，有助于减少电磁干扰（EMI），提升系统电磁兼容性。
该器件具有较低的正向导通压降，在轻载和中等负载条件下能有效降低功耗，提升能效。例如，在1mA小电流工作时，VF仅为0.49V左右，这对于电池供电设备尤为重要，可以延长电池使用寿命。即使在1A满负荷工作下，最大VF也控制在0.83V以内，保持较高的能量转换效率。
CM20TF-12H采用SOD-323超小型表面贴装封装，体积紧凑，便于自动化贴片生产，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的应用场景。该封装还具备良好的散热性能，结合合理的PCB布局设计，可在一定程度上支持持续大电流工作。
该二极管具备较高的可靠性，经过严格的质量控制流程，能够承受高达30A的非重复浪涌电流，提升了对瞬态过流事件的耐受能力。同时，其反向漏电流极低（IR ≤ 0.1μA @ 20V），在高温环境下仍能保持较好的阻断性能，确保电路在各种工况下的稳定性。综合来看，CM20TF-12H是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管，适用于现代电子系统对小型化、高效化和环保化的需求。
CM20TF-12H广泛应用于多种电源管理与信号处理电路中。常见用途包括作为DC-DC升压或降压转换器中的同步整流替代方案或续流二极管，用于防止电感反电动势损坏主控芯片；在电池充电管理电路中作为防反接或隔离二极管使用；在USB接口、电源输入端口等位置实现极性保护功能，防止因接反而导致系统损坏。
此外，该器件也常用于电压钳位和瞬态电压抑制电路中，配合其他元件对敏感IC进行过压保护。在高频信号整流、检波电路以及逻辑电平转换电路中，凭借其快速响应能力和低导通压降，也能发挥良好作用。
由于其小型封装和高效率特性，CM20TF-12H特别适用于便携式消费类电子产品，如移动电源、TWS耳机充电仓、智能手表、蓝牙音箱等。同时也可用于工业传感器模块、IoT终端设备、LED驱动电源等对空间和能效有较高要求的场合。其宽工作温度范围也使其能在较为严苛的环境条件下稳定运行。
MBR120VLSFT1G
RB751V-20
PMDS20UN,115
BAT54C-W
