时间：2025/12/23 20:35:25
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RF15N0R2A500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛适用于各种功率转换和负载切换应用。其封装形式通常为 TO-263 或 DPAK，便于散热和安装。
该器件在设计时考虑了高效能和可靠性，能够在高频开关条件下保持稳定的性能，同时支持较高的漏源电压，适用于多种工业和消费类电子设备。
型号：RF15N0R2A500CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：15A
导通电阻(RDS(on))：2.0mΩ（典型值，在VGS=10V时）
总功耗(PD)：180W（在θJA=2°C/W时）
工作温度范围(TJ)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263/DPAK
RF15N0R2A500CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境，例如 DC-DC 转换器和开关电源。
3. 强大的电流处理能力，额定漏极电流高达 15A，满足大功率负载需求。
4. 较宽的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适用于恶劣环境下的运行。
5. 热性能优越，封装设计有助于有效散热。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
7. 具备较高的电气稳定性，适合长期使用。
RF15N0R2A500CT 常用于以下应用领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的负载切换。
3. 工业自动化设备中的电源管理。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
5. 汽车电子中的继电器替代和保护电路。
6. 通信设备中的功率调节模块。
7. 各种消费类电子产品中的高效功率转换方案。
RF15N0R2A500CTG, RF15N0R2A500CTA
