时间：2025/8/16 2:38:20
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RF1500TR13 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于多种高功率应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频率下高效运行，同时具备良好的热稳定性和可靠性。RF1500TR13采用先进的沟槽技术，以确保低导通损耗和优异的开关性能。该MOSFET封装形式为TO-252（DPAK），便于安装和散热。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：150V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
RF1500TR13 具有多个显著特性，使其成为高性能功率转换应用的理想选择。
首先，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。其Rds(on)最大值为3.2mΩ，这在同类产品中属于较低水平，尤其适用于需要高电流承载能力的场合。
其次，该器件支持高达80A的连续漏极电流，在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，其高栅源电压（±20V）提供了更高的栅极驱动灵活性，确保在不同驱动条件下均能可靠导通。
RF1500TR13 还具有良好的热稳定性，最大工作温度可达175°C，使其在高温环境下仍能正常工作。结合其TO-252封装形式，该器件具备良好的散热能力，适用于紧凑型设计和高密度功率模块。
最后，该MOSFET采用先进的沟槽式MOS技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统等应用。
RF1500TR13 主要应用于需要高效率、高电流和高频开关的电力电子系统。常见的应用包括：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率开关电路。此外，该器件也广泛用于电动车、太阳能逆变器、储能系统和电源适配器等高功率应用中。
SiR150DP-T1-GE3, IRF150GPBF, IPW90R150P7S
