CEH2325 时间：2025/7/19 8:15:54 阅读：14

CEH2325 是一款常用的场效应晶体管（MOSFET）型号，通常用于功率控制和开关电路中。它是一款N沟道增强型MOSFET，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻。CEH2325广泛应用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机控制和负载开关等场合。由于其优良的性能和可靠性，CEH2325在工业控制、汽车电子和消费电子产品中都有广泛应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±8V
　　最大连续漏极电流（ID）：5.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：约16mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

CEH2325 MOSFET具备多项优良的电气特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低功率损耗，提高系统效率。在VGS为4.5V时，RDS(on)约为16mΩ，使得该器件非常适合用于高效率的开关应用。其次，CEH2325的最大漏极电流为5.1A，能够支持较高的负载电流，适用于多种功率控制场景。
　　此外，该器件的漏源电压（VDS）为20V，适用于低电压功率变换器和电池供电设备。其栅源电压范围为±8V，设计中需注意栅极驱动电压不超过该限制，以避免损坏器件。
　　CEH2325采用SOT-23小封装形式，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性。工作温度范围宽，从-55°C到150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业自动化和汽车电子系统。

应用

CEH2325 MOSFET适用于多种功率电子应用。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。由于其低导通电阻和较高的电流承载能力，该器件在高效能电源管理方案中表现出色，例如在笔记本电脑、平板电脑和移动设备的电源管理系统中广泛使用。
　　在工业控制领域，CEH2325可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的信号切换和功率控制，提升设备的响应速度和能效。此外，它也可用于电池供电设备中的充放电管理电路，确保电池的安全和高效运行。
　　在汽车电子系统中，CEH2325可用于车灯控制、电动座椅调节和车载充电器等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车环境中理想的功率开关器件。