RF1491ATR13HW 时间：2025/8/15 21:49:56 阅读：8

RF1491ATR13HW是一款由Renesas Electronics设计的射频功率晶体管，专为高功率放大应用而设计。该器件基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具有高增益、高效率和出色的热稳定性。它适用于无线基础设施、广播系统、工业加热设备以及测试仪器等需要高功率射频输出的场合。

参数

类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：N沟道增强型LDMOSFET
　　工作频率：DC至500MHz
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：65V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　输出功率：125W（典型值）
　　增益：23dB（典型值）
　　效率：70%以上
　　封装类型：TO-247
　　热阻（RθJC）：1.0°C/W

特性

RF1491ATR13HW采用先进的LDMOS技术，提供出色的射频性能和稳定性。其高输出功率能力使其适用于多种高功率应用场景。该器件在宽频率范围内表现出色，能够稳定工作在高达500MHz的频率下，具有良好的线性度和低失真特性。此外，其高效的功率放大能力降低了对散热系统的要求，从而减少了整体系统成本。器件的高可靠性和耐久性确保其在严苛环境条件下仍能保持稳定运行。
　　该晶体管具有低热阻特性，使得热量能够迅速从芯片传导到散热器，从而提高了器件的长期稳定性。其高增益特性减少了对前级放大器的要求，简化了电路设计。同时，RF1491ATR13HW具备良好的抗过载能力和高输入阻抗，使其在各种放大器拓扑结构中表现出色。此外，该器件的封装设计优化了射频性能，确保在高频工作下的稳定性和低损耗。