容量：16K 位
　　组织方式：16K x 1 位
　　电源电压：+5V
　　访问时间（tRC）：25 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：24引脚 DIP
　　引脚数量：24
　　刷新周期：64ms
　　输入/输出电压：TTL 兼容

MCM4116BP25 芯片具备高速访问能力，其访问时间仅为25 ns，这在当时的DRAM技术中属于较快的水平。该芯片采用了CMOS工艺制造，具备较低的功耗特性，适用于需要节能设计的系统。其16K x 1位的组织方式使其适用于构建更大容量的内存系统，尤其是在需要并行数据总线扩展的场合。
　　此外，MCM4116BP25 支持标准的TTL输入/输出电平，可以直接与多种逻辑电路和微处理器接口，无需额外的电平转换器。其24引脚DIP封装便于插拔和更换，适合用于原型设计或维修场合。
　　该芯片还具备自动刷新功能，以维持存储数据的完整性。通常情况下，DRAM芯片需要周期性地刷新其存储单元中的数据，否则电容中的电荷会逐渐泄漏导致数据丢失。MCM4116BP25 的设计允许外部控制器通过RAS（Row Address Strobe）和CAS（Column Address Strobe）信号进行地址复用控制，从而简化了地址线的使用，减少了封装引脚数量。

MCM4116BP25 主要应用于早期的微型计算机、工业控制系统、测试设备和嵌入式系统中作为主存储器或缓存使用。在8位和16位处理器系统中，如Z80、6502、8085等，该芯片常被用于构建基本的内存架构。由于其容量较小，它通常需要多个芯片并联使用以构成更宽的数据总线，例如8个MCM4116BP25可以组成16KB × 8的存储系统。
　　此外，该芯片也适用于教育和实验用途，尤其是在电子工程教学中，用于帮助学生理解动态RAM的工作原理、地址复用机制以及存储器扩展技术。在一些老旧的电子设备中，MCM4116BP25 仍然可以作为替换零件使用，以修复因存储器芯片老化而导致的系统故障。

MCM4116-25, MCM4116P-25, HM4116, TMS4116