RF1377.E31ETR7X 时间：2025/8/15 13:42:06 阅读：6

RF1377.E31ETR7X 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）设计的射频（RF）功率晶体管，属于其高频功率MOSFET产品系列。该器件专门用于高频通信系统中的射频功率放大器应用，支持从广播、无线基础设施到工业和医疗设备的多种应用场景。该晶体管采用先进的HEMT（高电子迁移率晶体管）技术，具备高效率、高增益和低失真的特点，适用于工作频率范围较宽的射频系统。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：HEMT
　　晶体管类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作频率范围：最高可达1.5GHz
　　漏极电流（ID）：最大1.2A
　　漏源电压（VDS）：最大65V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　输出功率：典型值为100W（在1.5GHz时）
　　增益：约18dB（典型值）
　　效率：典型效率大于65%
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

RF1377.E31ETR7X 的主要特性之一是其宽频率覆盖能力，使其适用于从UHF到L波段的多种射频应用。其HEMT技术确保了在高频下仍能保持较高的增益和良好的线性度，这对于现代通信系统中减少信号失真和提高数据传输质量至关重要。
　　此外，该器件具备高耐压特性（VDS最高可达65V），能够承受较大的电压波动，提高了系统的稳定性和可靠性。其栅极保护电路设计允许栅源电压达到±20V，避免了在驱动过程中因过压而损坏器件。