RF1365TR13 时间：2025/8/16 1:06:01 阅读：32

RF1365TR13 是一款由 Renesas Electronics 生产的射频（RF）功率晶体管，属于 N 沟道增强型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）。该器件专为高功率射频应用而设计，适用于基站放大器、工业加热、医疗设备以及广播系统等领域。RF1365TR13 采用先进的 LDMOS 技术，具备高效率、高线性度和高热稳定性，适用于工作频率在 880 MHz 至 960 MHz 范围内的应用。

参数

类型：LDMOSFET
　　极性：N 沟道
　　最大漏极电流：15 A
　　最大漏极电压：65 V
　　最大栅极电压：10 V
　　最大工作频率：1 GHz
　　最大输出功率：50 W
　　增益：20 dB
　　效率：65%
　　封装类型：TO-247
　　热阻：1.5°C/W

特性

RF1365TR13 的核心特性在于其卓越的射频性能与热管理能力。该器件在 880 MHz 至 960 MHz 频率范围内可提供高达 50 W 的连续波（CW）输出功率，同时保持较高的功率附加效率（PAE）和良好的线性度。其增益约为 20 dB，使得在射频放大电路中无需过多的前级驱动即可实现高效的信号放大。
　　此外，该晶体管具备较低的热阻（1.5°C/W），能够在高功率运行时有效散热，确保长期工作的稳定性。其封装形式为 TO-247，适用于多种散热方案，便于集成到各种射频系统中。RF1365TR13 还具有较高的栅极耐压能力（最高 10 V），使其在各种偏置条件下仍能保持良好的性能表现。
　　该器件的设计使其在高功率射频应用中表现出色，尤其适用于需要高可靠性和稳定性的通信设备，如 GSM 基站、WiMAX 基站、DVB-T 发射器等。其高效率和低失真特性也使其成为数字广播和射频能量应用的理想选择。

应用

RF1365TR13 主要用于需要高功率射频放大的场景，包括但不限于以下应用领域：
　　1. 无线通信基站：如 GSM、CDMA、WiMAX 等系统的功率放大器模块。
　　2. 广播发射系统：如 DVB-T、FM 广播发射器中的射频功率放大电路。
　　3. 工业与医疗设备：如射频加热设备、等离子体发生器等需要高功率射频能量的系统。
　　4. 雷达与测试设备：用于射频信号源和功率放大测试设备中。
　　5. 军事与航空航天：用于短波通信、雷达发射机等高可靠性要求的应用场景。