您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RF1119ATR7

RF1119ATR7 发布时间 时间:2025/8/16 10:11:13 查看 阅读:27

RF1119ATR7是一款由Renesas Electronics推出的射频(RF)放大器芯片,专为高性能无线通信系统设计。该器件是一款低噪声放大器(LNA),工作频率范围覆盖从400 MHz到4 GHz,适用于多种无线应用,如蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙、物联网(IoT)设备以及其他射频前端模块。RF1119ATR7采用紧凑的封装形式,具有高线性度和优异的噪声性能,能够在高干扰环境中保持信号的清晰度和稳定性。该芯片内部集成了偏置电路,简化了外围电路设计,同时具备良好的输入/输出阻抗匹配能力,降低了系统设计的复杂度。

参数

频率范围:400 MHz - 4 GHz
  增益:约18 dB
  噪声系数:约0.65 dB
  输出IP3:约+22 dBm
  工作电压:3.3V 或 5V
  静态电流:约45 mA
  封装类型:TQFN(4x4 mm)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

RF1119ATR7作为一款高性能低噪声放大器,具备多项优异特性,使其在复杂的无线环境中表现出色。首先,其宽频带设计(400 MHz至4 GHz)使得该芯片能够支持多种通信标准,如LTE、Wi-Fi 5/6、蓝牙以及Sub-1GHz物联网协议,从而提高了其在多平台应用中的灵活性。
  其次,该芯片的噪声系数低至0.65 dB,能够在接收链路中显著提升信号灵敏度,降低误码率,尤其适用于需要高接收性能的远距离通信系统。其典型增益为18 dB,配合高线性度输出(OIP3为+22 dBm),确保在强干扰信号存在的情况下仍能维持良好的信号完整性。
  此外,RF1119ATR7的工作电压范围较宽(3.3V或5V),使其适用于多种电源架构。芯片的静态电流约为45 mA,具备良好的功耗控制能力,适合对功耗敏感的便携式设备和物联网终端。
  其采用TQFN(4x4 mm)小型封装,节省PCB空间的同时,也提升了集成度。内部集成偏置电路的设计,减少了外围元件的需求,简化了射频前端的设计流程,并提高了系统的稳定性与一致性。
  最后,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适应工业级环境,适用于户外通信设备、工业自动化、车载系统等多种严苛应用场景。

应用

RF1119ATR7广泛应用于各种射频接收系统中,尤其是在需要高灵敏度和低噪声性能的场景。其典型应用包括:蜂窝通信基站(如4G LTE、5G Sub-6GHz)、Wi-Fi接入点和路由器、蓝牙低功耗(BLE)模块、ZigBee通信设备、LoRa和Sub-1GHz无线传感器网络、工业自动化通信模块、车载无线通信设备以及各种便携式和物联网终端设备。由于其优异的性能和小型化设计,该芯片也常用于射频前端模块(FEM)中,作为低噪声放大器使用。

替代型号

HMC414, MAX2642, TQP3M9015

RF1119ATR7推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价