类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：13A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：52A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.38Ω（Vgs=10V, Id=6.5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF（Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值380pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值70pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值45nC（Vds=400V, Id=13A, Vgs=10V）
　　上升时间（tr）：典型值40ns
　　下降时间（tf）：典型值75ns
　　反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管优化）
　　最大结温（Tj）：150°C
　　封装：TO-220M-3

13N50K-MT的核心特性之一是其高达500V的漏源击穿电压，使其能够在高压电源系统中稳定运行，例如AC-DC适配器、充电器和LED照明电源。这一高耐压能力确保了器件在电网波动或雷击浪涌等异常工况下仍具有足够的安全裕量。同时，其导通电阻在同类产品中处于较低水平，典型值为0.38Ω，在Vgs=10V且Id=6.5A条件下可有效降低导通损耗，提高整体电源效率。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）仅为45nC左右，意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，有利于简化驱动电路设计并减少控制器负担。低Qg还意味着更快的开关速度，从而缩短开关过渡时间，减少开关损耗，提升系统能效。这对于追求高效率和小型化的现代开关电源尤为重要。
　　13N50K-MT的阈值电压范围为2.0V至4.0V，属于标准逻辑兼容级别，能够被常见的PWM控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路。这增强了其在多种应用场景中的通用性。此外，该器件具备良好的热稳定性，其最大结温可达150°C，并通过TO-220M-3封装提供较好的散热性能，便于通过PCB铜箔或散热片进行热管理。
　　在可靠性方面，13N50K-MT经过严格的生产测试和筛选，具备较强的抗雪崩能力和抗静电能力（ESD），可在恶劣电磁环境中长期稳定工作。其结构设计也考虑了dv/dt和di/dt的抑制，减少误触发风险。虽然其体二极管未作专门优化，但在非连续导通模式（DCM）反激变换器中仍可作为自然换流路径使用，前提是电流和反向恢复时间在允许范围内。

13N50K-MT广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其是在离线式反激变换器（Flyback Converter）中作为主开关管使用。这类电源常见于手机充电器、笔记本电脑适配器、家用电器辅助电源等设备中，要求器件具备高耐压、低损耗和高可靠性的特点。由于其500V的额定电压，该MOSFET适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的电源设计。
　　在LED驱动电源领域，13N50K-MT可用于隔离式恒流驱动方案，特别是在15W至60W功率段的应用中表现优异。其快速开关特性和较低的导通电阻有助于实现高PF值和低THD，满足能源效率标准如Energy Star或DoE Level VI的要求。
　　此外，该器件也可用于DC-DC升压或降压变换器、电机驱动电路、逆变器以及工业控制电源模块中。在电机控制应用中，它可用于中小功率直流电机的斩波调速，配合PWM信号实现精确的速度调节。由于其封装为TO-220M-3，具有良好的机械强度和散热能力，适合在紧凑空间内进行焊接安装，并可通过螺钉固定到大型散热器上以应对更高负载条件。
　　在待机电源（Standby Power Supply）设计中，13N50K-MT因其低静态功耗和高效率特性，有助于降低整机待机能耗，符合现代绿色节能设计理念。

13N50L-MT
　　13N50P-MT
　　14N50-MT
　　15N50-MT
　　K13N50
　　AP13N50K
　　STP13NK50ZFP
　　FQA13N50