类型：LDMOS射频功率晶体管
　　最大漏极电流（ID(max)）：通常为500mA
　　最大漏-源电压（VDS(max)）：65V
　　工作频率范围：10MHz至1GHz
　　输出功率：在1GHz频率下可达18W
　　增益：典型值为20dB
　　效率：典型效率为65%
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

RF1118SR具备多项优异特性，使其在射频功率放大器应用中表现出色。首先，其采用的LDMOS技术提供了高增益和高效率，使得该晶体管能够以较低的输入功率驱动实现较高的输出功率。LDMOS器件还具有良好的线性度，这对于需要高信号完整性的应用（如通信系统）非常重要。
　　其次，RF1118SR的封装设计（TO-247）提供了良好的热管理性能，确保在高功率工作状态下仍能保持稳定。该封装还具有良好的机械强度和电气性能，适用于各种工业和通信环境。
　　此外，该晶体管的工作频率范围为10MHz至1GHz，适用于多种射频应用，包括广播发射器、工业加热设备、医疗射频设备以及无线通信系统。其高输出功率能力（在1GHz时可达18W）也使其成为高功率放大器设计的理想选择。
　　RF1118SR还具有优异的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作（-55°C至+150°C），适用于各种恶劣的工作环境。这一特性对于户外设备和高温环境下的应用尤为重要。

RF1118SR广泛应用于射频功率放大器的设计中，尤其适合用于广播、无线通信、工业加热、医疗射频设备等领域。在广播发射器中，该晶体管可用于高功率放大器模块，以提高信号的传输距离和稳定性。在无线通信系统中，RF1118SR可用于基站和中继站的射频功率放大器，提供高增益和高效能的信号放大。
　　此外，该晶体管也可用于工业和科学设备中的射频能量控制，例如等离子体发生器、射频感应加热设备等。在医疗领域，RF1118SR可用于射频消融设备和其他需要高功率射频能量的应用。
　　由于其优异的热管理和高可靠性，RF1118SR也适用于需要长时间稳定工作的设备，如远程通信设备和户外射频系统。

NXP的MRF11180H、STMicroelectronics的STAC2403K5、Infineon的BLF188XR