RF1107TR13-5K 时间：2025/8/16 3:10:11 阅读：21

RF1107TR13-5K是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）制造的射频（RF）功率晶体管，专为高功率射频应用而设计，例如蜂窝基站、无线基础设施和工业应用。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，提供了高线性度、高效率和高可靠性。RF1107TR13-5K能够在高频率范围内工作，适用于多频段和宽带应用。其封装形式为表面贴装（SMT）封装，便于在高密度电路板上安装。

参数

工作频率范围：2.3 GHz至2.7 GHz
　　输出功率：典型值为125 W（连续波）
　　漏极效率：典型值为60%
　　增益：典型值为22 dB
　　工作电压：28 V
　　输入驻波比（VSWR）：最大2.5:1
　　封装类型：表面贴装封装（SMT）
　　阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

RF1107TR13-5K采用了先进的LDMOS技术，具备高功率密度和优异的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行。其高线性度特性使其非常适合用于现代通信系统中的复杂调制方案，如OFDM和CDMA。此外，该器件具有优异的抗失真性能，有助于提高信号质量并减少误码率。其高输入阻抗和低输出阻抗使得匹配网络设计更加简便。该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高功率条件下仍能保持稳定的工作温度。RF1107TR13-5K还具有良好的抗静电放电（ESD）能力，提高了器件的可靠性和寿命。
　　在实际应用中，RF1107TR13-5K的高效率特性有助于降低功耗和散热需求，从而减少整体系统的功耗和成本。其宽带特性使其能够适用于多个频段，无需频繁更换器件即可适应不同的应用需求。同时，该器件的高耐用性使其能够在恶劣环境中长时间运行，适合用于工业和通信基础设施等要求严苛的应用场景。

应用

RF1107TR13-5K广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站（2G/3G/4G/5G）、WiMAX基站、广播发射机、测试设备和工业加热设备。由于其高功率和高频率特性，该器件也非常适合用于雷达系统、航空航天和国防领域的射频放大器设计。此外，它还可用于宽带无线接入系统、射频能量应用以及需要高功率放大能力的科研实验设备。