时间:2025/12/25 10:25:57
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RF101L4STE25是一款由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用小型化封装SOD-123W,适用于高密度、高性能的电源管理电路。该器件专为低压、大电流开关应用设计,具备低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,能够显著提升电源转换效率并降低功耗。其主要面向便携式电子设备、DC-DC转换器、逆变器以及电池供电系统等对空间和能效有严格要求的应用场景。RF101L4STE25具有良好的热稳定性和可靠性,符合AEC-Q101车规级认证标准,适合在汽车电子环境中使用。此外,该产品符合RoHS环保要求,无铅且不含卤素,满足现代绿色电子产品的设计规范。
型号:RF101L4STE25
制造商:ROHM Semiconductor
封装类型:SOD-123W
二极管配置:单只二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):40V
最大直流阻断电压(VR):40V
平均整流电流(IO):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms半正弦波)
最大正向电压降(VF):0.48V(典型值,@ IF = 1A, TJ = 25°C)
最大反向漏电流(IR):0.1μA(典型值,@ VR = 40V, TJ = 25°C);最大300μA(@ VR = 40V, TJ = 125°C)
反向恢复时间(trr):<5ns(典型值)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
储存温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
热阻(Rth(j-c)):约75°C/W(典型值)
极性:阳极至阴极方向标记清晰,阴极端有条纹标识
RF101L4STE25的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒结构,实现了极低的正向导通压降与超快的开关响应速度。由于肖特基二极管是多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此其反向恢复时间极短(通常小于5ns),远优于传统PN结二极管,这使得它在高频开关电源中表现出色,有效减少了开关损耗并抑制了电磁干扰(EMI)。该器件在1A电流下的典型正向压降仅为0.48V,相比普通硅二极管(约0.7V以上)可显著降低传导损耗,提升系统整体能效,尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。
SOD-123W封装具有较小的占位面积(约2.7mm x 1.6mm)和较低的热阻,便于在紧凑型PCB布局中实现高集成度设计,同时具备良好的散热性能。该封装还支持自动化贴片工艺,适用于回流焊生产流程,确保批量制造的一致性与可靠性。RF101L4STE25具备出色的温度稳定性,在高温环境下仍能保持较低的漏电流水平(最大300μA @ 125°C),避免因温升导致的性能劣化或热失控风险。
该器件通过了AEC-Q101车规认证,表明其在机械强度、环境耐受性(如湿度、温度循环、高温反偏等)方面达到了汽车级应用的标准,可用于车载充电系统、LED照明驱动、DC-DC变换器等严苛工况场合。此外,产品符合无铅和无卤素要求,支持绿色环保制造,并可通过100%自动视觉检测保证出厂质量。综合来看,RF101L4STE25是一款兼具高性能、小型化与高可靠性的肖特基二极管,适用于消费类电子、工业控制及汽车电子等多种领域。
RF101L4STE25广泛应用于需要高效、低功耗整流功能的电子系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器,用于防止电流倒灌并提高转换效率;在同步整流架构不适用的小功率电源中作为主整流元件。该器件也常用于电池管理系统(BMS)中的防反接保护电路,利用其低VF特性减少能量损失,延长电池使用时间。
在AC-DC适配器、USB充电模块以及嵌入式电源模块中,RF101L4STE25可用于次级侧整流环节,尤其是在低输出电压(如3.3V、5V)条件下,其低导通压降的优势更为明显。此外,该二极管适用于逆变器电路、极性保护电路和续流二极管(flyback diode)应用,例如在继电器或电感负载断开时提供电流泄放路径,防止电压尖峰损坏其他元件。
由于其具备AEC-Q101认证,该器件被广泛用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、LED车灯驱动电源、车身控制模块和电动助力转向系统的辅助电源中。其小型封装也有利于在空间受限的车载PCB上实现高密度布线。在工业控制领域,RF101L4STE25可用于PLC电源模块、传感器供电电路和隔离电源的反馈整流部分。总之,任何需要快速响应、低损耗和小型化设计的整流应用均可考虑采用此型号。
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"RB156V-40LS,MURS140,SB140,S1JB-13-F,SS14"
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