RF03N7R5D250CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,专为高频应用设计。该晶体管采用了先进的半导体工艺制造,具有高增益、高效率和出色的线性度。它通常用于无线通信系统中的功率放大器、雷达设备以及其他需要高效射频信号放大的场景。
RF03N7R5D250CT 的封装形式适合表面贴装技术 (SMT),有助于实现紧凑型设计和高效的散热管理。
最大集电极-发射极电压:50V
最大集电极电流:20A
最大耗散功率:250W
频率范围:30MHz 至 400MHz
增益:12dB
效率:65%
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
1. 高效率和高输出功率,适合大功率射频应用。
2. 在宽广的频率范围内表现出稳定的性能。
3. 采用先进的封装技术,提供优异的热管理和机械稳定性。
4. 线性度优越,能够满足现代通信系统的严格要求。
5. 具备低噪声和高可靠性,适用于苛刻的工作环境。
6. 支持表面贴装,便于自动化生产和小型化设计。
1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)。
2. 无线通信基站和中继站。
3. 海事及航空通信设备。
4. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域的射频发生器。
5. 军用雷达和电子对抗系统。
6. 广播和卫星通信系统中的信号增强。
RF03N7R5D200CT, RF03N7R5D300CT