时间：2025/11/6 6:15:00
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RF03N5R6B250CT是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）生产的射频功率电感器，专为高频率、高效率的射频电路设计。该器件属于RF Power Inductor系列，广泛应用于无线通信系统中的功率放大器（PA）、阻抗匹配网络、射频滤波和前端模块等场景。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑、无线局域网（WLAN）模块以及物联网（IoT）设备。该电感器在高频工作条件下表现出优异的Q值和低直流电阻（DCR），有助于减少能量损耗并提升整体系统效率。此外，其稳定的温度特性和良好的可靠性确保了在复杂电磁环境下的长期稳定运行。RF03N5R6B250CT采用多层陶瓷基板与金属绕组结构制造，具备出色的机械强度和热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
产品类型：射频功率电感器
电感值：5.6nH ±0.3nH
自谐振频率（SRF）：≥25GHz
额定电流：300mA（典型）
直流电阻（DCR）：≤180mΩ
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +155°C
封装尺寸：0303（约0.3mm x 0.3mm）
安装类型：表面贴装（SMD）
端接类型：镍/金镀层
介电材料：陶瓷基复合材料
屏蔽类型：无屏蔽（开放式磁路）
Q值：≥35 @ 2.4GHz
容差：±5%
RF03N5R6B250CT作为一款高性能射频电感器，在高频应用中展现出卓越的技术优势。其核心特性之一是极高的自谐振频率（SRF），通常可达25GHz以上，这使得它能够在毫米波及超高频段（如5G NR、Wi-Fi 6E、雷达传感等）中有效工作，避免因接近谐振点而导致的阻抗失真或信号衰减问题。该器件的电感值精确控制在5.6nH，公差仅为±0.3nH，保证了在精密阻抗匹配网络中的可重复性和一致性，从而优化功率传输效率并降低反射损耗。
该电感器采用了先进的薄膜沉积与光刻工艺制造，结合高纯度陶瓷基板材料，实现了超小尺寸（0303封装）与高性能之间的平衡。这种微型化设计不仅节省PCB布局空间，还减少了寄生电容和引线电感的影响，进一步提升了高频响应能力。同时，其低直流电阻（DCR ≤ 180mΩ）显著降低了在大电流通过时的I2R损耗，提高了系统的能效表现，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。
RF03N5R6B250CT具备优良的温度稳定性和老化特性，在-40°C至+125°C的工作温度范围内，电感值变化极小，确保在不同环境条件下的可靠运行。其Q值在2.4GHz下不低于35，意味着在常见的无线通信频段内具有较低的能量损耗和较高的选择性，有利于构建高效的LC谐振电路和滤波器。此外，该器件支持回流焊工艺，兼容标准SMT生产线，便于大规模自动化组装。
由于其开放式磁路结构，该电感器对外部磁场较为敏感，因此在布板时需注意与其他磁性元件保持适当间距，以防相互耦合干扰。总体而言，RF03N5R6B250CT是一款面向高端射频应用的微型化、高Q值、高频响应电感器，适用于对性能和空间都有严苛要求的现代无线通信模块设计。
RF03N5R6B250CT主要用于高频射频电路中，典型应用场景包括5G移动通信设备的射频前端模块（FEM）、Wi-Fi 6/6E和Wi-Fi 7无线接入点中的功率放大器输出匹配网络、毫米波雷达传感器的调谐电路、蓝牙低功耗（BLE）和Zigbee模块的LC滤波器设计，以及卫星导航系统（如GPS、Galileo）的接收链路匹配网络。其高SRF和高Q值特性使其特别适合用于2.4GHz、5.8GHz乃至更高频段的无线通信系统中，能够有效实现阻抗变换、噪声抑制和谐振选频功能。此外，该器件也常被用于手机内的天线调谐单元（Antenna Tuning Unit），通过动态调节匹配网络来适应不同频段和使用环境，提高信号接收灵敏度和发射效率。在基站射频模块和小型化物联网节点中，RF03N5R6B250CT可用于构建紧凑型带通滤波器或耦合电路，以满足高密度集成的需求。由于其优异的高频性能和稳定性，该电感器也被广泛应用于测试测量仪器、射频识别（RFID）读写器以及航空航天电子系统中的高频模拟前端设计。
LQM21PN5N6MG0L
DLW21SN5R6SQ2L
