电容值：100nF (104表示100nF)
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：1000V (102表示1000V)
　　封装尺寸：2012 (公制5.0×3.2mm)
　　温度系数：B特性（-20ppm/℃ ~ +100ppm/℃）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ
　　介电材料：Class I (如C0G/NP0) 或 Class II (如X7R/X5R)

IM20B104K102AB 作为一种高性能多层陶瓷电容器，具备出色的电气性能和环境适应能力。其主要特点包括高耐压能力，适合在需要较高电压稳定性的电路中使用。此外，该器件采用稳定的陶瓷材料，能够提供良好的温度稳定性和低损耗，使其在射频(RF)电路、滤波器、电源管理电路以及其他对性能要求严格的场景中表现出色。由于其小型化设计，它还非常适合空间受限的应用场合。
　　在机械结构方面，IM20B104K102AB 的2012封装形式提供了足够的焊盘面积以确保可靠的焊接连接，同时兼顾了PCB布局的紧凑性。这种尺寸的元件易于自动化贴片工艺处理，从而提高了生产效率和成品率。陶瓷电容器的无极性设计也简化了电路板的设计和装配流程。
　　对于长期稳定性，IM20B104K102AB 使用优质材料和制造工艺来确保长时间运行时的性能一致性。这使得它成为许多关键系统中不可或缺的一部分，例如医疗设备、航空航天电子装置及汽车电子控制系统等。

IM20B104K102AB 主要应用于需要高稳定性和高耐压的电子设备中。这些应用场景可能包括但不限于：
　　- 高频通信设备（如无线基站、微波传输设备）
　　- 电源转换与调节模块（DC-DC转换器、AC-DC电源适配器）
　　- 工业控制和测量仪器
　　- 汽车电子产品（如发动机控制单元ECU、车载娱乐系统）
　　- 医疗器械（例如心电图机、超声成像设备）
　　- 射频识别(RFID)技术和物联网(IoT)设备

TDK C2012X5R1E104K, Murata GRM21BR61C104KA88L