时间：2025/7/12 14:03:56
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RF03N5R6A250CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频和高效能应用设计。该器件采用常关型（normally-off）工作模式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于高频 DC-DC 转换器、LLC 谐振转换器以及其他功率转换电路。
该 GaN 功率晶体管通过集成驱动器优化了系统效率，并减少了寄生电感对高频操作的影响。其封装形式紧凑，有助于提高功率密度并简化 PCB 设计。
型号：RF03N5R6A250CT
类型：GaN 功率晶体管
Vds（漏源极电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：25mΩ
Id（持续漏电流）：18A
Qg（栅极电荷）：75nC
Ciss（输入电容）：1540pF
Coss（输出电容）：90pF
Eoss（输出电容能量损耗）：35nJ
FBSOA（正向偏置安全工作区）：支持高 di/dt
封装：TO-247-4L
RF03N5R6A250CT 的主要特性包括：
1. 常关型结构，确保高可靠性。
2. 极低的 Rds(on)，有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能，支持高达 MHz 级别的开关频率。
4. 高效的热管理能力，能够应对高功率应用场景。
5. 内部集成 ESD 保护功能，提升器件的鲁棒性。
6. 减少外围元件数量，从而降低整体解决方案的成本与复杂度。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特点使得 RF03N5R6A250CT 成为现代高频功率转换系统的理想选择。
RF03N5R6A250CT 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心高效电源模块。
2. 消费电子适配器和充电器，如 USB-PD 快充方案。
3. 工业级 DC-DC 转换器，例如电信设备中的隔离电源。
4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 电动汽车车载充电器（OBC）及辅助电源模块。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景，如无线充电和音频放大器等。
凭借其卓越的效率和高频性能，RF03N5R6A250CT 在各类功率转换需求中表现优异。
RF03N6R5A250CT, RF04N5R6A250CT
