TMG5D60D 时间：2025/7/25 19:33:14 阅读：5

TMG5D60D 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET器件，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供高效率和低导通电阻的特性。TMG5D60D 是一款N沟道增强型MOSFET，适用于高功率密度和高开关频率的设计场景。

参数

型号：TMG5D60D
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极-源极电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：5A
　　导通电阻(Rds(on))：1.8Ω（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：15nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　最大功耗(Pd)：40W

特性

TMG5D60D 的核心特性之一是其优异的导通性能。由于采用了先进的沟槽栅极技术，它在600V高电压条件下仍能保持较低的导通电阻（Rds(on)），这直接降低了导通损耗并提高了整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性。TMG5D60D 封装在TO-220形式下，具有较高的热阻能力，能够在较高温度下稳定运行，适合在严苛环境条件下工作。此外，该器件的漏极-源极击穿电压高达600V，提供了良好的电压耐受能力，适用于高电压输入的应用场景。
　　在可靠性方面，TMG5D60D 具有良好的短路耐受能力和过载保护特性，能够在瞬态负载变化或异常工作条件下保持稳定的性能。其设计也优化了电磁干扰（EMI），有助于降低系统设计中的噪声问题。

应用

TMG5D60D 常用于电源管理电路中，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及电机驱动电路。它也广泛应用于工业自动化设备、家电控制模块、LED照明驱动电路和电池管理系统中。由于其高耐压和低导通损耗的特性，这款MOSFET非常适合用于需要高效率和高可靠性的开关电源设计。