您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RF03N1R2C250CT

RF03N1R2C250CT 发布时间 时间:2025/7/4 3:58:09 查看 阅读:12

RF03N1R2C250CT 是一款射频 (RF) 功率晶体管,专为高频放大器和射频功率应用设计。该器件采用先进的硅双极晶体管技术制造,具有高增益、低噪声和出色的线性度特性。它适用于无线通信、雷达系统和测试测量设备等高性能应用。

参数

型号:RF03N1R2C250CT
  类型:射频功率晶体管
  封装:TO-252 (DPAK)
  工作频率范围:30 MHz 至 300 MHz
  最大输出功率:250 W
  电压范围:12 V 至 28 V
  电流范围:0.1 A 至 6 A
  增益:12 dB
  噪声系数:2.5 dB
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

RF03N1R2C250CT 具有以下关键特性:
  1. 高效率和高增益性能,适合高频功率放大应用。
  2. 优化的线性度,减少信号失真,确保高质量的射频传输。
  3. 稳定的工作特性,在宽温度范围内保持一致性能。
  4. 小型化封装设计,便于在紧凑型电路板中集成。
  5. 内置保护机制,包括过热保护和短路保护功能,提升可靠性。
  6. 支持表面贴装工艺,提高生产效率和降低成本。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信基站中的射频功率放大器。
  2. 雷达系统的发射机模块。
  3. 测试与测量设备中的信号放大单元。
  4. 民用及军用无线电通信设备。
  5. 工业加热和等离子体生成装置中的高频电源。
  6. 医疗设备中的射频能量发生器。
  7. 卫星通信和微波链路中的高性能放大器。

替代型号

MRF250-7W, BLF193L, RF03N1R2C200CT

RF03N1R2C250CT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RF03N1R2C250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.04978卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-