RF03N1R2C250CT 是一款射频 (RF) 功率晶体管,专为高频放大器和射频功率应用设计。该器件采用先进的硅双极晶体管技术制造,具有高增益、低噪声和出色的线性度特性。它适用于无线通信、雷达系统和测试测量设备等高性能应用。
型号:RF03N1R2C250CT
类型:射频功率晶体管
封装:TO-252 (DPAK)
工作频率范围:30 MHz 至 300 MHz
最大输出功率:250 W
电压范围:12 V 至 28 V
电流范围:0.1 A 至 6 A
增益:12 dB
噪声系数:2.5 dB
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
RF03N1R2C250CT 具有以下关键特性:
1. 高效率和高增益性能,适合高频功率放大应用。
2. 优化的线性度,减少信号失真,确保高质量的射频传输。
3. 稳定的工作特性,在宽温度范围内保持一致性能。
4. 小型化封装设计,便于在紧凑型电路板中集成。
5. 内置保护机制,包括过热保护和短路保护功能,提升可靠性。
6. 支持表面贴装工艺,提高生产效率和降低成本。
7. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 无线通信基站中的射频功率放大器。
2. 雷达系统的发射机模块。
3. 测试与测量设备中的信号放大单元。
4. 民用及军用无线电通信设备。
5. 工业加热和等离子体生成装置中的高频电源。
6. 医疗设备中的射频能量发生器。
7. 卫星通信和微波链路中的高性能放大器。
MRF250-7W, BLF193L, RF03N1R2C200CT