时间：2025/6/12 15:26:20
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WPN252010H1R0MT 是一款由 Vishay 提供的功率 MOSFET 芯片，属于 Si7469DN 系列。该器件采用 N 沟道增强型 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于需要高效能、低损耗的电路中。其封装形式为 MicroSMP?，适合表面贴装工艺，适用于紧凑型设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻（典型值）：10mΩ
总功耗：1.15W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：MicroSMP?
封装引脚数：3
WPN252010H1R0MT 具有卓越的电气性能，包括低导通电阻和低栅极电荷，从而减少了导通和开关损耗。
该芯片的微型封装 MicroSMP? 提供了出色的热性能和更小的占位面积，非常适合便携式设备和空间受限的应用场景。
MOSFET 的高开关速度使其能够满足高频应用需求，并且在各种负载条件下保持较高的效率。
此外，器件支持较宽的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
WPN252010H1R0MT 主要用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电源管理模块以及电池保护电路等领域。
其低导通电阻和小型化封装特别适合于移动通信设备、笔记本电脑适配器、平板电脑以及其他便携式电子产品的电源系统。
同时，它也适用于工业控制和汽车电子中的低侧开关应用，例如 LED 驱动、逆变器和信号调节电路。
Si7469DN, BSS138, AO3400
