RF03N160J500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于高频开关和功率转换领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
其设计旨在满足现代电力电子设备对效率和可靠性的严格要求,适用于工业控制、通信电源以及消费类电子产品中的多种应用。
型号:RF03N160J500CT
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-247
最大漏源电压Vds:160V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:50A
峰值脉冲漏极电流I_pulsed:100A
导通电阻Rds(on):3mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总栅极电荷Qg:85nC
输入电容Ciss:2500pF
输出电容Coss:95pF
反向传输电容Crss:32pF
工作结温范围Tj:-55℃至+175℃
RF03N160J500CT 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高开关速度,得益于优化的栅极电荷设计,可实现更快的开关操作。
3. 强大的电流承载能力,适合高功率密度的应用场景。
4. 优秀的热性能表现,确保在极端温度条件下仍能保持稳定运行。
5. 耐高压特性,支持高达160V的工作电压,适应各种复杂的电路环境。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅焊接兼容。
RF03N160J500CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的逆变器模块,用于高效控制交流电机。
3. 太阳能逆变器及不间断电源(UPS)系统,提供稳定的电力转换功能。
4. 工业自动化设备中的负载切换与保护电路。
5. 高效DC-DC转换器设计,提高整体转换效率。
6. 各种需要高频开关和低功耗特性的消费类电子产品,如笔记本适配器等。
RF03N160J500CS, IRFP260N, STW99NM50