类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.4A
　　导通电阻(Rds(on))：26mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：33mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散(Pd)：1.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN10

MMSF1308DR2具备多项优异的电气和热性能，适用于高性能功率管理应用。
　　首先，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，使其导通电阻（Rds(on)）非常低，典型值在Vgs=10V时为26mΩ，而在Vgs=4.5V时为33mΩ。低Rds(on)可以显著降低导通损耗，提高系统效率，从而在电源转换应用中实现更高的能效表现。
　　其次，MMSF1308DR2的漏源电压为30V，最大连续漏极电流为4.4A，适用于中等功率级别的应用。此外，其栅源电压容限为±20V，具有较强的栅极耐压能力，增强了器件在开关过程中的稳定性和可靠性。
　　该器件采用DFN10封装，这种无引脚封装技术不仅减小了PCB占用空间，还改善了热传导性能，使得MMSF1308DR2能够在较高的功率下保持良好的散热能力。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于广泛的工业和消费类应用环境。
　　MMSF1308DR2还具有快速开关特性，降低了开关损耗，进一步提升了整体系统效率。此外，其封装设计符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺制造。

MMSF1308DR2适用于多种功率电子应用，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：由于其低导通电阻和高效能特性，该MOSFET可广泛用于同步整流型DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，以提高转换效率并减少发热。
　　2. 电源管理模块：MMSF1308DR2可用于电池管理系统（BMS）、负载开关和电源多路复用器中，实现对不同电源路径的高效控制。
　　3. 电机驱动和继电器驱动：该器件能够承受一定的负载电流，适用于小型电机、电磁阀和继电器的开关控制。
　　4. 便携式设备：如智能手机、平板电脑和移动电源等产品中，MMSF1308DR2的DFN封装和低功耗特性使其成为理想的电源开关或功率调节元件。
　　5. 工业控制系统：如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块和工业自动化设备中，该MOSFET可用于电源控制和负载管理，提供稳定可靠的功率开关性能。

Si2302DS, AO3400A, FDS6675, NTD4858N