时间：2025/7/8 10:11:36
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RF03N100J500CT 是一款高性能的射频功率晶体管，主要应用于高频放大器和射频功率模块。该器件采用了先进的 LDMOS 工艺技术，能够在高频条件下提供高效率和高增益性能。它适用于通信、广播以及其他射频功率应用领域，尤其是在需要高可靠性与稳定性的场合。
型号：RF03N100J500CT
类型：射频功率晶体管
工艺：LDMOS
封装形式：TO-247
工作频率范围：1.8 MHz - 100 MHz
输出功率：100 W（典型值）
增益：10 dB（典型值）
最大漏源电压：50 V
最大栅源电压：±20 V
导通电阻：0.2 Ω（典型值）
热阻：1.2 ℃/W
RF03N100J500CT 具备出色的射频功率性能，能够承受较高的工作电压，并在宽频带范围内保持稳定的增益表现。
其内部结构设计优化了散热性能，适合长时间连续工作。此外，该器件具有低噪声特性和良好的线性度，确保了信号传输的高质量。
通过使用高效的 LDMOS 技术，该晶体管在高频环境下仍能维持较高的效率，同时具备优异的抗干扰能力。
为了满足不同应用场景的需求，RF03N100J500CT 还支持多种偏置条件下的灵活操作，进一步提升了其实用性。
该器件广泛应用于各类射频功率设备中，包括但不限于：
- 高频放大器模块
- 无线通信基站
- 广播发射系统
- 测试测量仪器
- 军事雷达设备
- 医疗成像设备中的射频电源模块
凭借其高可靠性和高效性能，RF03N100J500CT 成为许多高性能射频系统的核心元件。
RF03N100J400CT, RF03N100J600CT
