时间：2025/7/9 19:21:30
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GA1812Y393MBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET，属于 GaN（氮化镓）基技术的电子元器件。该型号结合了低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于高效率电源转换系统、DC-DC 转换器以及高频开关电路中。其采用先进的封装技术以提升散热性能和电气稳定性。
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅极源极电压(Vgs)：8V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
总栅极电荷(Qg)：70nC
输入电容(Ciss)：1400pF
输出电容(Coss)：100pF
反向传输电容(Crss)：30pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
GA1812Y393MBAAT31G 具有以下显著特性：
1. 高效的开关性能，能够支持高达 2MHz 的开关频率。
2. 极低的导通电阻，可有效减少导通损耗。
3. 热插拔和短路保护功能，提升了系统的可靠性。
4. 小尺寸封装设计，有助于实现更紧凑的电路布局。
5. 支持宽范围的工作温度，适用于恶劣环境下的应用。
6. 内置 ESD 保护机制，增强了器件的抗静电能力。
7. 出色的热性能表现，能有效管理功率耗散。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和电机驱动中的逆变器模块。
3. 工业级电源解决方案，包括 UPS 不间断电源。
4. 太阳能微逆变器及能量存储系统。
5. 快速充电器和其他高频高效电力电子设备。
6. 数据中心服务器电源和通信电源单元。
GA1812Y393MBBCT31G, GA1812Y393MBCVT31G
