RF03N100G250CT 时间：2025/11/6 8:05:45 阅读：6

RF03N100G250CT是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术和场板结构设计，能够在高压工作条件下实现低导通电阻和优异的开关性能。其额定电压为100V，适用于中等电压范围内的功率控制应用。RF03N100G250CT在封装上通常采用TO-252（DPAK）等表面贴装形式，便于在PCB上进行自动化装配，并具备良好的热传导能力，有助于提高系统的整体可靠性与散热效率。此外，该MOSFET还具有较低的栅极电荷和米勒电容，有助于减少开关损耗，提升高频工作时的能效表现。

参数

型号：RF03N100G250CT
　　制造商：Rohm
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源击穿电压（V_DS）：100 V
　　连续漏极电流（I_D）@25°C：3 A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：12 A
　　栅源阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 3.0 V
　　导通电阻（R_DS(on)）@V_GS=10V：75 mΩ 最大值
　　导通电阻（R_DS(on)）@V_GS=4.5V：105 mΩ 最大值
　　栅极电荷（Q_g）：16 nC 典型值
　　输入电容（C_iss）：580 pF @ V_DS=50V
　　输出电容（C_oss）：90 pF @ V_DS=50V
　　反向恢复时间（t_rr）：35 ns
　　二极管正向电压（V_SD）：1.2 V @ I_S=3A
　　最大功耗（P_D）：50 W
　　工作结温范围（T_J）：-55 ~ +150 °C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

特性

RF03N100G250CT采用了Rohm成熟的高压MOSFET制造工艺，结合了高性能的沟槽栅极结构与优化的场板设计，在确保高击穿电压的同时显著降低了导通电阻，从而提高了器件的整体效率。其典型的R_DS(on)在V_GS=10V时仅为75mΩ，即使在较低的驱动电压下（如4.5V），也能保持105mΩ的低阻状态，这使得它非常适合用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，例如基于微控制器或PWM控制器的开关电路。此外，该器件具备较低的栅极电荷（Q_g = 16nC）和米勒电容（C_rss），有效减少了开关过程中的驱动损耗和电压振荡风险，提升了高频工作的稳定性与能效。
　　在动态性能方面，RF03N100G250CT表现出色，尤其是在硬开关拓扑如Buck、Boost和半桥变换器中，能够实现快速且平稳的开关过渡。其体二极管具有较短的反向恢复时间（t_rr约35ns），可降低反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），有利于简化外围吸收电路的设计。同时，该MOSFET拥有良好的雪崩耐量和抗浪涌电流能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。TO-252封装不仅支持表面贴装工艺，还提供了优良的热传导路径，使其在持续负载下仍能保持较低的工作温度，延长使用寿命。

应用

RF03N100G250CT常被用于各类中功率开关电源系统中，包括AC-DC适配器、工业电源模块、LED驱动电源以及电信设备供电单元。由于其具备较高的电压等级和适中的电流处理能力，特别适合用作同步整流器或主开关管在Buck转换器中使用。此外，它也广泛应用于直流电机控制、电池管理系统（BMS）、逆变器和UPS不间断电源等需要高效能量转换的场合。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电机（OBC）辅助电源或车身控制模块中的负载开关，凭借其宽泛的工作温度范围和高可靠性满足严苛环境下的使用需求。另外，在太阳能微型逆变器和储能系统中，RF03N100G250CT也可作为关键的功率切换元件，发挥其低损耗和高频率响应的优势。