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IXFN36N100 发布时间 时间：2023/3/6 15:14:20 查看 阅读：611

    类别：半导体模块

    家庭：MOSFETs

    系列：HiPerFET?

   

目录

概述

    类别：半导体模块

    家庭：MOSFETs

    系列：HiPerFET?

    FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 特点：标准型

    开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：240 毫欧 @ 500mA, 10V

    漏极至源极电压(Vdss)：1000V (1kV)

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：36A

    Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 8mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs：380nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：9200pF @ 25V

    功率 - 最大：700W

    安装类型：底座安装

    封装/外壳：SOT-227, miniBLOC

    包装：管件

    供应商设备封装：*



资料

厂商
IXYS

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IXFN36N100产品

IXFN36N100参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C36A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C240 毫欧 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs380nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9200pF @ 25V
  • 功率 - 最大700W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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