RF03N0R7A250CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频和高效率应用设计。该器件采用先进的封装工艺,能够在高频工作条件下保持出色的性能,适用于电源管理、射频放大器和无线充电等领域。
这款 GaN 晶体管具有低导通电阻、快速开关特性和高击穿电压等优势,能够显著提升系统的整体效率和功率密度。
型号:RF03N0R7A250CT
类型:GaN 功率晶体管
导通电阻:25 mΩ
最大漏源电压:650 V
连续漏极电流:3 A
栅极驱动电压:4.5 V ~ 6 V
开关频率:高达 10 MHz
结温范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-252
RF03N0R7A250CT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(25 mΩ),可有效降低传导损耗。
2. 支持高频操作(最高达 10 MHz),非常适合高频电源转换和射频应用。
3. 高击穿电压(650 V),确保在高压环境下的可靠运行。
4. 快速开关速度,减少开关损耗并提高系统效率。
5. 热稳定性强,可在极端温度范围内正常工作。
6. 小型化的 TO-252 封装,有助于提高功率密度和简化 PCB 布局。
RF03N0R7A250CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. 射频功率放大器的设计与实现。
3. 无线充电系统中的功率传输模块。
4. LED 驱动器和电机驱动器的高效功率转换。
5. 充电器和适配器中的高频逆变电路。
6. 工业设备中的高频电源和能量转换装置。
RF03N0R7A300CT, RF03N0R7B250CT