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RF03N0R7A250CT 发布时间 时间:2025/7/2 11:59:23 查看 阅读:11

RF03N0R7A250CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频和高效率应用设计。该器件采用先进的封装工艺,能够在高频工作条件下保持出色的性能,适用于电源管理、射频放大器和无线充电等领域。
  这款 GaN 晶体管具有低导通电阻、快速开关特性和高击穿电压等优势,能够显著提升系统的整体效率和功率密度。

参数

型号:RF03N0R7A250CT
  类型:GaN 功率晶体管
  导通电阻:25 mΩ
  最大漏源电压:650 V
  连续漏极电流:3 A
  栅极驱动电压:4.5 V ~ 6 V
  开关频率:高达 10 MHz
  结温范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-252

特性

RF03N0R7A250CT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(25 mΩ),可有效降低传导损耗。
  2. 支持高频操作(最高达 10 MHz),非常适合高频电源转换和射频应用。
  3. 高击穿电压(650 V),确保在高压环境下的可靠运行。
  4. 快速开关速度,减少开关损耗并提高系统效率。
  5. 热稳定性强,可在极端温度范围内正常工作。
  6. 小型化的 TO-252 封装,有助于提高功率密度和简化 PCB 布局。

应用

RF03N0R7A250CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. 射频功率放大器的设计与实现。
  3. 无线充电系统中的功率传输模块。
  4. LED 驱动器和电机驱动器的高效功率转换。
  5. 充电器和适配器中的高频逆变电路。
  6. 工业设备中的高频电源和能量转换装置。

替代型号

RF03N0R7A300CT, RF03N0R7B250CT

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RF03N0R7A250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.13883卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.7 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-