时间：2025/8/12 3:50:19
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RF010YM 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各类电源管理和功率控制电路中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率处理能力，适用于高效率电源转换系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：最大 8.5mΩ（@ VGS=4.5V）
功率耗散（PD）：3.8W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSMT4（表面贴装）
RF010YM 具有出色的导通性能和快速开关特性，适用于高效率电源设计。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高系统的整体能效。该器件采用 ROHM 独有的沟槽式结构，实现了高电流密度和优异的热稳定性。
此外，RF010YM 采用 TSMT4 封装，具备良好的散热性能，适用于紧凑型电源设计。该封装还支持自动化贴片工艺，提高了生产效率和装配可靠性。
该 MOSFET 内置静电放电（ESD）保护功能，增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性。同时，其宽泛的工作温度范围使其适用于工业级和汽车电子应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等电路。
RF010YM 主要用于以下应用领域：高性能 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机的电源模块、服务器和通信设备的电源管理单元、汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能功率转换应用的理想选择。
SiSS108DN-T1-GE3, AO4406A, IRF7413PBF, R6004END, FDS6680
