时间：2025/12/27 8:37:10
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UTT4N10L-AA3-R是一款由Unisonic Technologies（友顺科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用贴片式SOT-223封装，适用于中等功率开关应用。该器件设计用于高效能、低导通电阻和快速开关的场合，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。UTT4N10L-AA3-R具有良好的热稳定性和可靠性，适合在紧凑型电子产品中使用。其栅极阈值电压较低，能够与逻辑电平信号兼容，便于直接由微控制器或其他数字控制电路驱动。该MOSFET在连续工作条件下具备较高的电流承载能力，并通过优化的芯片结构降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，SOT-223封装提供了较好的散热性能，使其在高密度PCB布局中仍能保持稳定的热表现。该产品符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子制造流程。
型号：UTT4N10L-AA3-R
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压Vds：100V
漏极电流Id（连续）：4A
漏极电流Idm（脉冲）：16A
导通电阻Rds(on)：0.075Ω @ Vgs=10V, Id=2A
导通电阻Rds(on)：0.1Ω @ Vgs=4.5V, Id=2A
栅极阈值电压Vgs(th)：2~4V
栅极电荷Qg：12nC @ Vds=50V, Id=4A
输入电容Ciss：380pF @ Vds=25V
开启延迟时间td(on)：10ns
关断延迟时间td(off)：35ns
反向恢复时间trr：28ns
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：SOT-223
UTT4N10L-AA3-R采用了先进的沟槽技术制造，这种结构显著提升了单位面积下的载流能力，从而实现了低导通电阻与高电流密度的结合。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为75mΩ，确保了在中等负载条件下能量损耗最小化，有助于提升电源系统的转换效率。器件的栅极氧化层经过优化处理，具备较高的击穿耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。该MOSFET的开关特性优异，输入电容Ciss为380pF，在高频开关应用如开关电源和同步整流电路中表现出色，能够有效减少开关过程中的动态损耗。同时，较短的开启和关断延迟时间（分别为10ns和35ns）使得其响应速度更快，适用于需要快速切换的控制场景。
该器件还具备良好的热稳定性，结温最高可达+150℃，且在高温环境下仍能维持合理的电气性能。其反向恢复时间trr为28ns，表明体二极管具有较快的恢复能力，减少了在桥式或感性负载应用中可能出现的交叉导通风险。此外，SOT-223封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且背部带有散热片，可通过PCB上的大面积铜箔实现有效的热量传导，进一步提高功率处理能力。该MOSFET符合工业级可靠性标准，经过严格的高温反偏（HTRB）、高压蒸煮（PCT）和温度循环测试，确保长期运行的稳定性。其无铅环保设计也满足现代电子产品对环境友好材料的要求，适用于消费类电子、工业控制、通信设备等多种领域。
UTT4N10L-AA3-R广泛应用于各类中低功率电源系统中，尤其适合作为DC-DC降压或升压变换器中的主开关或同步整流开关使用。在便携式设备如笔记本电脑、平板电源模块中，该器件可用于电池供电路径的管理与分配，实现高效的能量传递。在LED驱动电路中，它可作为恒流调节开关，提供稳定的光源输出。此外，在电机控制应用中，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，UTT4N10L-AA3-R能够胜任高低边开关的角色，凭借其低导通电阻和快速响应能力，有效降低发热并提高控制精度。在电源适配器、充电器和AC-DC辅助电源中，该MOSFET常用于初级侧开关或次级侧整流环节，提升整体能效。由于其具备一定的浪涌电流承受能力，也可用于热插拔电路或负载开关设计中，防止上电冲击对后级电路造成损害。在工业自动化控制系统中，该器件可用于继电器替代方案或固态开关，实现无触点控制，延长使用寿命并减少维护成本。此外，因其封装易于自动化贴装，非常适合大规模表面贴装生产线的应用需求。
UTC4N10L-TA3-R
