REF5045IDGKR是德州仪器(TI)推出的一款高精度、低噪声的电压基准芯片。该芯片具有出色的温度稳定性和长期稳定性,适合用于需要高精度电压参考的应用场景。其设计基于带隙技术,能够在较宽的工作温度范围内提供稳定的输出电压。此外,该芯片还具有极低的温度漂移和低功耗特性,非常适合对精度要求较高的应用场合。
型号:REF5045IDGKR
制造商:Texas Instruments (TI)
封装类型:SOIC-8
输出电压:4.096V
工作电流:350 μA(典型值)
温度范围:-40°C 至 +125°C
温度系数:5 ppm/°C(最大值)
输入电压范围:4.5V 至 18V
电源电流:700 μA(最大值)
负载调节率:2 ppm/mA(最大值)
线性调节率:5 ppm/V(最大值)
静态电流:350 μA(典型值)
REF5045IDGKR是一款高精度的电压基准芯片,具备以下主要特性:
1. 高精度输出电压,误差仅为±0.04%。
2. 极低的温度漂移,仅为5 ppm/°C,确保在不同温度下的稳定性。
3. 低噪声性能,适合对信号质量要求高的应用。
4. 较宽的工作电压范围(4.5V至18V),使其能够适应多种供电条件。
5. 高负载调节率和线性调节率,确保在各种负载和输入电压条件下保持稳定输出。
6. 内置短路保护和热关断功能,提高系统的可靠性。
7. 小型SOIC-8封装,便于PCB布局和安装。
这些特性使得REF5045IDGKR成为精密数据转换器、测试与测量设备、工业控制系统等应用的理想选择。
REF5045IDGKR适用于以下应用场景:
1. 数据采集系统中的ADC和DAC基准电压源。
2. 测试与测量设备,如数字万用表、示波器等。
3. 工业自动化控制系统的传感器接口。
4. 精密电源和电池管理系统的参考电压。
5. 医疗设备中的信号调理电路。
6. 通信设备中的射频前端电路。
由于其高精度和低噪声的特点,REF5045IDGKR可以为这些应用提供可靠和稳定的电压参考,从而提高系统的整体性能。
REF5045IMDR, REF5045IDR, REF5045IWR