时间：2025/9/8 13:59:18
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63LSW39000M64X99 是一款由Micron Technology制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于早期的DRAM产品系列，广泛应用于计算机内存、工业控制系统及其他需要高速数据存储的设备中。63LSW39000M64X99采用异步DRAM架构，支持快速的数据读写操作，适用于对存储容量和速度有一定要求的应用场景。
类型：DRAM
容量：64K x 9位（总计576Kb）
电压：5V
封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
引脚数：50-pin
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：10 ns（典型值）
刷新周期：64 ms
63LSW39000M64X99 是一款高性能的异步DRAM芯片，具有较快的访问时间（10 ns），适用于需要高速数据存取的应用场景。其5V供电设计确保了与当时主流处理器和控制器的兼容性。该芯片采用50引脚SOJ封装，适合高密度PCB布局，适用于嵌入式系统和工业控制设备。此外，63LSW39000M64X99具备64 ms的刷新周期，确保数据在断电前能够保持稳定存储。该芯片在设计上具有较低的功耗，适合长时间运行的设备。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、通信设备和老旧计算机系统等应用领域。
63LSW39000M64X99 主要用于早期的计算机系统、嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信设备以及需要中等容量高速存储的电子设备。由于其异步接口和较高速度特性，适用于需要与传统处理器配合使用的场景。该芯片也常用于替换老旧设备中的DRAM模块，以延长设备的使用寿命。此外，它还可用于测试设备、测量仪器以及某些特定的消费电子产品中。
63LSW39000M64X99的替代型号包括：63LSW39000M64X85、63LSW39000M64X10、63LSW39000M64X12
