RDS82280XX 时间：2025/8/7 4:24:10 阅读：14

RDS82280XX 是一系列由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的功率MOSFET产品，专为高效率、高功率密度的电源应用而设计。该系列MOSFET采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，能够在高频率和大电流条件下提供出色的性能。RDS82280XX 主要针对工业电源、服务器电源、电信设备以及DC-DC转换器等应用领域。该系列器件通常以N沟道结构提供，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力等特点，能够在严苛的工作环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A（Tc=25℃）
　　最大漏-源极电压（Vds）：30V
　　最大栅-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大8.2mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：PowerPAK SO-8双封装（5x6mm）

特性

RDS82280XX MOSFET具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中导通损耗大大降低，提高了整体效率。此外，该系列MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，能够在保持小尺寸的同时实现高性能和高可靠性。
　　其次，RDS82280XX具有优异的热稳定性，其封装设计能够有效散热，从而在高功率密度应用中保持稳定的运行。该器件还具备良好的开关特性，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗，适用于现代电源系统中常见的高频DC-DC转换器。
　　再者，该MOSFET具备较高的耐压能力，最大漏-源极电压（Vds）可达30V，适用于多种中低压电源应用。栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至12V驱动电压，兼容大多数PWM控制器。
　　最后，RDS82280XX采用小型化的PowerPAK SO-8双封装，尺寸仅为5x6mm，有助于节省PCB空间，提高系统集成度。该封装还具备良好的机械强度和热循环稳定性，适用于工业级和通信设备的严苛环境。

应用

RDS82280XX MOSFET广泛应用于多个高功率密度和高效率要求的电源系统，包括但不限于服务器电源、电信设备电源、工业电源模块、同步整流DC-DC转换器、负载开关以及马达控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效同步整流电路中的理想选择，尤其适用于多相供电系统和高性能计算设备的电源管理模块。