RD4.7FM-T1 时间：2025/11/8 9:25:21 阅读：21

RD4.7FM-T1是一款由Rochester Electronics生产的硅基齐纳二极管阵列，专为高精度电压参考和稳压应用设计。该器件采用微型表面贴装封装（SOD-323），适用于对空间要求严苛的便携式电子设备和高密度电路板布局。RD4.7FM-T1的标称齐纳电压为4.7V，具有较低的动态阻抗和良好的温度稳定性，能够在宽温度范围内提供稳定的参考电压输出。其主要优势在于高可靠性、低功耗以及出色的长期电压稳定性，适合用于电源管理、模拟信号调理、电压钳位及基准源等关键电路中。
　　该器件符合RoHS环保标准，并通过了严格的工业级可靠性测试，可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作。RD4.7FM-T1广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域。由于其封装小巧且性能稳定，特别适合在电池供电系统和低功耗设计中作为精密电压参考元件使用。此外，该型号由Rochester Electronics独家生产和分销，作为原厂停产元器件的授权延续产品，确保了与原始设计规格的一致性和供应链的可持续性。

参数

类型：齐纳二极管阵列
　　标称齐纳电压：4.7V
　　功率耗散：200mW
　　最大齐纳电流：48mA
　　动态阻抗（Zzt）：20Ω（典型值）
　　温度系数：±2mV/°C
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-323（SC-76）
　　极性：双端共阴极配置
　　反向漏电流：< 1μA @ VR = 1V
　　电压容差：±5%
　　峰值脉冲功率：500mW（8.3ms单半正弦波）

特性

RD4.7FM-T1具备优异的电气特性和热稳定性，能够在复杂电磁环境和宽温条件下保持稳定的电压参考性能。其核心特性之一是低动态阻抗，典型值仅为20Ω，这使得在负载电流变化时仍能维持较小的输出电压波动，从而提高系统的整体精度。这一特性对于需要高稳定性的模拟前端电路尤为重要，例如ADC/DAC的偏置电压生成或传感器信号调理中的基准源应用。
　　该器件具有良好的温度补偿设计，温度系数控制在±2mV/°C以内，有效减少了因环境温度变化引起的电压漂移。这种稳定性使其适用于户外设备、车载系统以及工业自动化设备等对温度适应性要求较高的应用场景。同时，±5%的初始电压容差保证了批次间的一致性，降低了生产校准成本。
　　RD4.7FM-T1采用SOD-323小型化封装，体积紧凑，便于在高密度PCB上实现自动化贴片装配，显著提升制造效率并节省布板空间。其200mW的连续功率耗散能力和高达500mW的脉冲耐受能力，使其能够应对瞬态过压事件，增强了系统的鲁棒性。此外，反向漏电流低于1μA，在低功耗待机模式下几乎不消耗额外能量，非常适合电池驱动设备。
　　作为Rochester Electronics授权复产的器件，RD4.7FM-T1完全遵循原始制造商的技术规范，确保与已停产同类产品的无缝替换。其生产流程经过严格的质量控制，包括100%的电参数测试和可靠性验证，保障了长期供货的品质一致性。这对于维护 legacy 系统、延长产品生命周期以及避免重新设计带来的高昂成本至关重要。

应用

RD4.7FM-T1常用于需要稳定电压参考的各种电子系统中。典型应用包括电源电压监控电路中的基准源、LDO稳压器的反馈分压网络、ADC和DAC的参考电压提供、以及信号链路中的电平钳位保护。其4.7V的标称电压接近TTL和CMOS逻辑电平阈值，因此也广泛用于数字接口的电平转换和噪声抑制电路。
　　在便携式医疗设备如血糖仪、心率监测器中，该器件可作为传感器偏置电压源，确保测量精度不受电池电压下降的影响。在工业PLC模块和数据采集系统中，它用于构建高精度的模拟输入前端，提升系统抗干扰能力。
　　此外，RD4.7FM-T1还可用于LED驱动电路中的电压箝位，防止过压损坏LED灯珠；在通信模块中作为ESD保护辅助元件，吸收瞬态浪涌能量；在汽车电子控制单元（ECU）中提供稳定的参考电压，支持发动机管理、车身控制等功能。其高温工作能力使其适用于发动机舱附近或封闭空间内的电子装置。
　　由于其封装符合JEDEC标准，支持回流焊工艺，适用于大规模自动化生产。无论是消费类电子产品还是高可靠性工业设备，RD4.7FM-T1都能提供稳定可靠的电压基准解决方案。