时间：2025/9/29 18:38:26
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QM75TX-H是一款由Qorvo公司生产的高性能、高可靠性的射频功率晶体管，专为在VHF和UHF频段工作的广播和工业、科学及医疗（ISM）应用而设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，能够在高频率下提供出色的功率增益、效率和线性度。QM75TX-H特别适用于FM广播发射机、电视广播系统以及高功率射频放大器模块中，是现代高功率射频放大应用中的关键元器件之一。该器件封装在一种坚固的陶瓷/金属气密性封装中，确保在高温、高湿和高振动等恶劣环境下仍能保持长期稳定运行。其设计符合严格的工业标准，并具备良好的热传导性能，能够有效降低结温，延长器件寿命。
QM75TX-H工作在50V的典型漏极电压下，可提供高达75W的连续波（CW）输出功率，在88–108 MHz的FM广播频段内表现出优异的性能。该器件还集成了内部输入匹配网络，简化了外部电路设计，降低了整体系统复杂性和调试难度。此外，它具有良好的抗负载失配能力，即使在天线驻波比（VSWR）较高的情况下也能安全运行，提高了系统的鲁棒性。由于其高增益和低互调失真特性，QM75TX-H也常被用于多载波通信系统中，以满足对信号保真度的严格要求。
制造商：Qorvo
产品系列：Broadband RF Power Transistors
器件类型：LDMOS FET
工作频率范围：DC至500MHz
输出功率（Pout）：75W（连续波）
工作电压（Vd）：50V
增益：≥23dB（典型值，FM频段）
效率：≥70%（典型值）
输入驻波比（Input VSWR）：≤2.5:1
输出驻波比（Output VSWR）：可承受无限大负载失配
热阻（Rth j-c）：1.2°C/W
封装类型：Ceramic/Metal Flanged Package
安装方式：底板安装
引脚数：4
最大结温（Tj）：225°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
QM75TX-H采用Qorvo成熟的硅基LDMOS工艺制造，具备卓越的射频性能和长期可靠性。其核心优势之一是在50V高电压下运行时仍能维持高效率和高增益，这使得电源设计更为高效，减少了能源损耗和散热需求。器件在88–108 MHz FM广播频段内可实现稳定的75W输出功率，且在整个带宽范围内增益平坦度良好，保证了音频信号的高质量传输。该器件内置输入匹配电路，显著降低了用户在外部进行复杂阻抗匹配的工作量，缩短了产品开发周期，并提升了系统一致性。
另一个重要特性是其强大的耐用性和抗失配能力。QM75TX-H可在输出端承受无限大的VSWR而不损坏，这一特性对于实际部署在野外或移动环境中的广播发射机至关重要，因为天线系统可能因天气、物理损伤或安装不当而产生严重失配。这种“无故障”操作能力得益于内部集成的热保护机制和优化的场分布设计，有效防止局部热点形成和二次击穿现象。
此外，该器件具有优良的互调性能，三阶交调截点（IP3）较高，适合用于多载波放大场景，减少邻道干扰。其陶瓷金属封装不仅提供了优异的气密性，防止湿气和污染物侵入，还具备出色的热传导性能，配合适当的散热器可将结温控制在安全范围内。封装底部带有法兰安装孔，便于与散热结构紧密贴合，提升整体热管理效率。器件符合RoHS指令要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代化绿色电子制造流程。
QM75TX-H广泛应用于各类高功率射频放大系统中，尤其是在商业和公共广播领域占据重要地位。其最主要的应用场景是FM立体声广播发射机，无论是地面站还是中继站，都能利用该器件实现高保真、远距离的音频信号覆盖。在这些系统中，QM75TX-H通常作为末级功率放大器（PA）使用，直接驱动天线负载，提供足够的辐射功率以确保信号稳定性与清晰度。
除了FM广播，该器件也适用于VHF/UHF频段的电视发射系统，特别是在模拟和数字电视共存的过渡时期，需要兼容多种调制格式并保持高线性度的场合。此外，QM75TX-H可用于工业加热设备、射频激励源、等离子发生器以及医疗射频治疗仪器等非通信类应用，这些场景通常要求长时间连续运行和高能量转换效率。
在专业通信领域，如公共安全通信基站、应急广播系统和海上通信平台，QM75TX-H因其高可靠性和环境适应性而受到青睐。它还可用于科研实验中的高功率信号源构建，支持雷达、粒子加速器和其他高能物理装置中的射频子系统。总之，凡是在30MHz以上频率需要稳定、高效、高功率输出的场景，QM75TX-H都是一个极具竞争力的选择。
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