时间：2025/8/28 14:01:33
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RD20ESAB2是一款由Renesas Electronics制造的功率MOSFET晶体管。这款MOSFET设计用于高效能和高可靠性的应用，适用于需要快速开关和低导通电阻的电路。RD20ESAB2采用先进的功率MOSFET技术，具备良好的热性能和高电流处理能力，适合在高温环境下运行。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：200V
最大漏极电流(Id)：20A（连续）
导通电阻(Rds(on))：0.22Ω @ Vgs = 10V
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220AB
RD20ESAB2具有低导通电阻，可减少导通损耗，提高系统的整体效率。其高耐压能力使其适用于多种电源管理应用。此外，该器件具有优异的热稳定性，能够在高负载条件下长时间运行而不发生热失效。RD20ESAB2还具备快速开关特性，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。其高可靠性设计确保在恶劣环境下仍能保持稳定性能。
RD20ESAB2广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动电路、工业自动化设备、负载开关以及各种高功率电子设备中。其高效率和高可靠性使其成为汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。
SiHF20N20C, FQA20N20C, IRF250
