时间：2025/4/29 16:21:29
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IRF7104 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Vishay 公司生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品的电源管理应用。其小型封装设计使其在空间受限的应用中表现出色。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：9mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷：8nC（典型值）
开关时间：ton=6ns，toff=10ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
IRF7104 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频 PWM 控制器的应用。
3. 小型 TSOP-6 封装，节省电路板空间。
4. 优异的热性能，能够在高电流密度下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
6. 可靠性高，适用于各种恶劣的工作环境。
IRF7104 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的同步整流开关。
2. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 通信设备中的信号切换与处理。
IRF7103, IRF7105, FDP5570N
