类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：180A（在Tc=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：450A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：双排DFN（PowerPAK SO-8）
　　安装类型：表面贴装

RD15EB MOSFET具有多项卓越特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。典型值为4.7mΩ，这对于减少热量生成和提升整体性能非常关键。
　　其次，该器件支持高达180A的连续漏极电流，在瞬态或脉冲负载条件下可承受高达450A的电流，使其适用于高负载需求的场景。
　　RD15EB采用了先进的沟槽式技术，确保了在高电流下的稳定性和可靠性，同时具备良好的热管理能力，能够在高温度环境下稳定运行。
　　封装方面，PowerPAK SO-8双排DFN封装提供了优异的散热性能和较小的PCB占用空间，非常适合高密度电路设计。
　　此外，该MOSFET具备宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），适用于严苛的工业环境和车载应用。
　　由于其出色的电气和热性能，RD15EB在DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统和负载开关等应用中表现出色。

RD15EB MOSFET适用于多种高功率和高效率需求的电子系统。
　　在电源管理领域，该器件常用于同步整流DC-DC降压转换器，提高转换效率并降低热损耗，广泛应用于服务器、通信设备和嵌入式系统的电源模块。
　　在电机控制方面，RD15EB可用于高性能H桥驱动器，适用于机器人、电动工具和工业自动化设备中的电机控制电路。
　　此外，该MOSFET在电池管理系统中也具有广泛应用，用于实现高效率的充放电控制和负载切换。
　　汽车电子领域中，RD15EB可用于车载电源转换系统、LED照明驱动以及电动助力转向系统（EPS）等应用。
　　由于其紧凑的封装和高电流能力，该器件也适合用于高性能计算设备、笔记本电脑和服务器的电源调节模块。

SiR150DP-T1-GE3, IRF150PBF, NexFET CSD17551Q5A, FDMS86180, IPB015N03L