晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-基极电压（VCB）：50V
　　发射极-基极电压（VEB）：5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

RS3DA-TR 具有良好的高频响应特性，适用于 100MHz 以下的高频放大电路。其高频特性得益于晶体管内部的优化设计，能够在高频下保持良好的增益和稳定性。
　　该晶体管的封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合用于高密度印刷电路板（PCB）布局。此外，SOT-23 封装具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。
　　RS3DA-TR 的最大集电极电流为 150mA，足以满足大多数低功耗放大和开关应用的需求。其集电极-发射极电压（VCEO）为 50V，使其在多种电源供电环境下都能可靠工作。
　　这款晶体管具有较高的可靠性，适用于工业级和消费类电子设备。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种严苛的环境条件。

RS3DA-TR 主要应用于以下领域：
　　在射频（RF）电路中，作为高频信号放大器使用，例如在无线通信设备、接收器和发射器中实现信号增强。
　　在模拟电路中，用于构建音频放大器、电压调节器和电流源等基本功能模块。
　　在数字电路中，RS3DA-TR 可用作开关元件，控制外围设备的通断，如 LED 驱动、继电器控制和传感器接口电路。
　　由于其小尺寸和良好的性能，RS3DA-TR 也广泛用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他低功耗电子设备中。

BCX70K、2N3904、2N2222A、MMBT3904、KSC1845