类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：100A（在25°C下）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为7.5mΩ，最大值为9.5mΩ
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOP型，带有散热片的封装
　　最大功耗(Pd)：200W
　　漏极-源极击穿电压(BVdss)：100V
　　阈值电压(Vgs(th))：2V至4V

RD100EB采用了先进的沟槽式MOSFET结构，这使得其在导通状态下具有极低的Rds(on)，从而减少了导通损耗并提高了系统的整体效率。这种低导通电阻特性对于大电流应用尤为重要，可以有效降低功率损耗和发热。此外，RD100EB具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持性能稳定，从而提升了器件的可靠性和寿命。
　　该器件的封装设计优化了散热性能，使得在高电流工作条件下能够有效地将热量传导出去，避免过热损坏。RD100EB还具备较高的耐压能力，可以在复杂的电气环境中保持稳定运行，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
　　由于其高电流承载能力和快速开关特性，RD100EB非常适合用于高频率的开关电源和电机控制电路。其快速的开关速度可以减少开关损耗，提高系统效率。同时，该器件的栅极驱动要求较低，兼容常见的逻辑电平控制电路，简化了驱动电路的设计。

RD100EB广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：用于电信设备、服务器电源和工业控制系统中的高效能DC-DC转换器设计；
　　2. 负载开关：作为高侧或低侧开关用于电池管理系统、电源分配系统等；
　　3. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）驱动器和步进电机控制器中作为功率开关器件；
　　4. 电源管理：用于多相电源系统、负载均衡电路和高效率电源模块；
　　5. 汽车电子：用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和其他汽车动力系统。

RD100HHF、RD100KHF、TK100E08K、TK100E60W