时间:2025/12/26 11:12:34
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BAT54S-7-01-F是一款由Diodes Incorporated生产的双通道肖特基二极管阵列,采用SOT-23-6封装。该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管,共阴极连接结构,适用于高频开关和低压降整流应用。由于其低正向导通电压、快速反向恢复时间以及优异的开关性能,BAT54S-7-01-F广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、信号解调、极性保护和输入输出接口保护等场景中。该器件符合RoHS环保标准,并具有良好的热稳定性和可靠性,适合在工业级温度范围内工作。
BAT54S-7-01-F的命名遵循常见的半导体命名规则:'BAT'代表二极管系列,'54'表示为肖特基类型,'S'指双二极管配置,'-7'通常代表卷带包装,'-01-F'则为制造商特定的产品代码。该器件常用于替代分立式二极管组合,在空间受限的设计中提供更高的集成度和装配效率。
类型:双肖特基二极管
配置:共阴极
封装:SOT-23-6 (SOT-363)
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):200mA
峰值脉冲正向电流(IFSM):500mA
最大正向电压(VF):@ IF=10mA时典型值0.28V;@ IF=100mA时最大值0.45V
最大反向漏电流(IR):@ VR=25V时最大值2μA
反向恢复时间(trr):< 4ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
热阻抗(JA):约350°C/W(在FR-4板上)
引脚数量:6
安装类型:表面贴装(SMD)
BAT54S-7-01-F的核心优势在于其采用硅肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,这显著降低了功耗并提高了系统能效,尤其适用于电池供电或对能耗敏感的应用场合。其正向压降在轻载条件下可低至0.28V左右,远低于传统PN结二极管的0.7V水平,从而减少发热并提升整体效率。此外,由于肖特基二极管属于多数载流子器件,不存在少子存储效应,因此具备极快的开关速度,反向恢复时间小于4纳秒,能够在高频开关环境中有效抑制反向电流尖峰,避免电磁干扰和能量损耗。
该器件采用SOT-23-6小型化封装,尺寸紧凑(典型尺寸约为1.6mm x 1.6mm x 1.1mm),非常适合高密度PCB布局和便携式电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等。尽管体积小,但其电气性能稳定,能够承受最高达200mA的持续正向电流和500mA的瞬态峰值电流,满足大多数信号级和低功率电源路径的需求。共阴极结构设计使其特别适用于双路电源选择、OR-ing电路或双通道信号钳位保护。
BAT54S-7-01-F还具备良好的热稳定性与ESD耐受能力,可在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行,适应严苛的工作环境。制造工艺符合AEC-Q101车规级可靠性测试要求(视具体批次而定),增强了其在汽车电子中的适用性。同时,产品无铅且符合RoHS指令,支持绿色环保生产流程。由于其高度标准化的封装和参数特性,BAT54S-7-01-F已成为业界广泛采用的通用型双肖特基二极管之一,便于设计复用和供应链管理。
BAT54S-7-01-F因其优异的电气特性和小型封装,被广泛应用于多个电子领域。在便携式消费类电子产品中,常用于电池充放电回路中的极性保护、多电源路径之间的隔离与选择(如USB与主电源切换)、以及LDO稳压器输出端的防倒灌二极管。在数字逻辑电路中,可用于电平转换、信号整形和I/O端口的静电放电(ESD)保护,防止过压或反接损坏后级IC。
在通信接口方面,该器件适用于RS-232、I2C、UART等总线的信号钳位保护,限制瞬态电压波动对主控芯片的影响。在DC-DC转换器拓扑中,尤其是同步整流架构之外的低成本非同步Buck或Boost电路中,BAT54S-7-01-F可用作续流二极管,利用其低VF特性提高转换效率。此外,在传感器模块、无线射频标签(RFID)、可穿戴设备等低功耗系统中,该二极管有助于实现微安级待机功耗控制和电源路径优化。
工业控制与汽车电子领域也大量使用此类器件,例如用于PLC输入滤波、电机驱动H桥中的箝位保护、车载信息娱乐系统的电源切换等。由于其具备一定的瞬态抑制能力和温度稳定性,BAT54S-7-01-F还可作为初级浪涌保护元件配合TVS管使用,增强系统鲁棒性。总之,凡是需要高效、快速、小型化二极管解决方案的场合,BAT54S-7-01-F都是一个极具竞争力的选择。
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"BAT54S,",
"BAS40-04,",
"RB751S-40,",
"PMST238,",
"DMG2304U"
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