RD00HVS1-T113是一款由Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的高性能、高可靠性的功率MOSFET器件,专为高频开关电源应用设计。该器件采用先进的沟槽式场截止技术(Trench Field-Stop Technology),在保证低导通电阻的同时,优化了开关速度与寄生参数之间的平衡,适用于对效率和热性能有严格要求的电源系统。其封装形式为小型化表面贴装型(如DFN或类似无引脚封装),有助于减小PCB占位面积,并提升功率密度。该器件广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及便携式电子设备的电源管理模块中。由于其具备优良的热稳定性和抗雪崩能力,RD00HVS1-T113在工业控制、通信设备及消费类电子产品中表现出良好的适应性。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适合现代绿色制造流程。
型号:RD00HVS1-T113
制造商:Renesas Electronics
器件类型:N沟道MOSFET
漏源电压VDS:30V
栅源电压VGS:±20V
连续漏极电流ID(@25℃):10A
脉冲漏极电流IDM:30A
导通电阻RDS(on)(max @ VGS=10V):4.7mΩ
导通电阻RDS(on)(max @ VGS=4.5V):6.8mΩ
阈值电压Vth:1.0V ~ 2.0V
输入电容Ciss:典型值1500pF
输出电容Coss:典型值600pF
反向传输电容Crss:典型值50pF
栅极电荷Qg(@10V):典型值18nC
体二极管反向恢复时间trr:典型值25ns
工作结温范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:DFN2020 or equivalent
RD00HVS1-T113采用瑞萨先进的沟槽式MOSFET工艺,实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的高度平衡。其最大RDS(on)在VGS=10V时仅为4.7mΩ,在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平,显著降低了导通损耗,特别适用于大电流、低电压输出的同步降压转换器。在4.5V驱动条件下,RDS(on)仍保持在6.8mΩ以下,确保在宽输入电压范围内实现高效运行。器件的栅极电荷Qg低至18nC,有助于减少驱动功耗并加快开关速度,从而提高整体电源系统的转换效率。
该器件具有出色的电容特性,Ciss、Coss和Crss分别为1500pF、600pF和50pF,这些参数经过优化,可在高频开关应用中有效抑制振铃和电磁干扰(EMI)。同时,较低的反向传输电容Crss有助于提升器件的噪声抗扰度,防止误触发。体二极管的反向恢复时间trr仅为25ns,表明其具备快速恢复能力,减少了在硬开关或零电压切换过程中的能量损耗,尤其适合用于同步整流拓扑中作为下管使用。
RD00HVS1-T113具备良好的热性能和可靠性。其采用DFN2020小型封装,底部带有散热焊盘,可通过PCB有效导热,提升热传导效率。该器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃,可在高温环境下稳定运行,满足工业级应用需求。此外,器件通过了AEC-Q101车规认证(如适用),具备高抗雪崩能力和长期稳定性,适用于严苛工作条件下的电源系统。内置的静电放电(ESD)保护能力也增强了其在生产装配和现场使用中的鲁棒性。
RD00HVS1-T113主要应用于需要高效率、高功率密度的直流电源管理系统中。典型应用场景包括同步降压转换器(Buck Converter),尤其是在多相VRM(电压调节模块)或单相大电流供电系统中,作为下管(Synchronous Rectifier)以替代肖特基二极管,大幅降低导通损耗并提升能效。该器件也常用于负载开关电路,控制电池供电路径的通断,因其低RDS(on)可减少压降和发热,延长便携设备续航时间。
在移动终端设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,RD00HVS1-T113可用于电源轨切换、相机模组供电控制或USB端口限流保护等场景。其小型DFN封装非常适合空间受限的设计,同时良好的热性能保障了长时间工作的稳定性。在通信基础设施领域,该器件可用于基站电源模块、光模块内部电源转换等场合,提供可靠的功率开关功能。
此外,该MOSFET还适用于电机驱动电路中的低端开关、LED背光驱动电路以及各类DC-DC模块电源。由于其具备快速开关能力和低栅极驱动需求,能够兼容常见的PWM控制器和驱动IC,简化外围电路设计。在工业自动化设备、医疗电子和消费类适配器中也有广泛应用前景。凭借其高可靠性与一致性,RD00HVS1-T113成为现代高效电源设计中的优选器件之一。
SiSS108DN-T1-E3
AOZ5212AIJ
FDMS7682S
IRLHS3442
TPS2310PWR