RD00HVS1-T113 时间：2025/9/29 12:56:47 阅读：26

RD00HVS1-T113是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的高性能、高可靠性的功率MOSFET器件，专为高频开关电源应用设计。该器件采用先进的沟槽式场截止技术（Trench Field-Stop Technology），在保证低导通电阻的同时，优化了开关速度与寄生参数之间的平衡，适用于对效率和热性能有严格要求的电源系统。其封装形式为小型化表面贴装型（如DFN或类似无引脚封装），有助于减小PCB占位面积，并提升功率密度。该器件广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及便携式电子设备的电源管理模块中。由于其具备优良的热稳定性和抗雪崩能力，RD00HVS1-T113在工业控制、通信设备及消费类电子产品中表现出良好的适应性。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代绿色制造流程。

参数

型号：RD00HVS1-T113
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：10A
　　脉冲漏极电流IDM：30A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：4.7mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：6.8mΩ
　　阈值电压Vth：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容Ciss：典型值1500pF
　　输出电容Coss：典型值600pF
　　反向传输电容Crss：典型值50pF
　　栅极电荷Qg（@10V）：典型值18nC
　　体二极管反向恢复时间trr：典型值25ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：DFN2020 or equivalent

特性

RD00HVS1-T113采用瑞萨先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的高度平衡。其最大RDS(on)在VGS=10V时仅为4.7mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了导通损耗，特别适用于大电流、低电压输出的同步降压转换器。在4.5V驱动条件下，RDS(on)仍保持在6.8mΩ以下，确保在宽输入电压范围内实现高效运行。器件的栅极电荷Qg低至18nC，有助于减少驱动功耗并加快开关速度，从而提高整体电源系统的转换效率。
　　该器件具有出色的电容特性，Ciss、Coss和Crss分别为1500pF、600pF和50pF，这些参数经过优化，可在高频开关应用中有效抑制振铃和电磁干扰（EMI）。同时，较低的反向传输电容Crss有助于提升器件的噪声抗扰度，防止误触发。体二极管的反向恢复时间trr仅为25ns，表明其具备快速恢复能力，减少了在硬开关或零电压切换过程中的能量损耗，尤其适合用于同步整流拓扑中作为下管使用。
　　RD00HVS1-T113具备良好的热性能和可靠性。其采用DFN2020小型封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB有效导热，提升热传导效率。该器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在高温环境下稳定运行，满足工业级应用需求。此外，器件通过了AEC-Q101车规认证（如适用），具备高抗雪崩能力和长期稳定性，适用于严苛工作条件下的电源系统。内置的静电放电（ESD）保护能力也增强了其在生产装配和现场使用中的鲁棒性。

应用

RD00HVS1-T113主要应用于需要高效率、高功率密度的直流电源管理系统中。典型应用场景包括同步降压转换器（Buck Converter），尤其是在多相VRM（电压调节模块）或单相大电流供电系统中，作为下管（Synchronous Rectifier）以替代肖特基二极管，大幅降低导通损耗并提升能效。该器件也常用于负载开关电路，控制电池供电路径的通断，因其低RDS(on)可减少压降和发热，延长便携设备续航时间。
　　在移动终端设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，RD00HVS1-T113可用于电源轨切换、相机模组供电控制或USB端口限流保护等场景。其小型DFN封装非常适合空间受限的设计，同时良好的热性能保障了长时间工作的稳定性。在通信基础设施领域，该器件可用于基站电源模块、光模块内部电源转换等场合，提供可靠的功率开关功能。
　　此外，该MOSFET还适用于电机驱动电路中的低端开关、LED背光驱动电路以及各类DC-DC模块电源。由于其具备快速开关能力和低栅极驱动需求，能够兼容常见的PWM控制器和驱动IC，简化外围电路设计。在工业自动化设备、医疗电子和消费类适配器中也有广泛应用前景。凭借其高可靠性与一致性，RD00HVS1-T113成为现代高效电源设计中的优选器件之一。