VUE130-06NO7 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET晶体管,广泛应用于电力电子设备中,例如电源管理、电机控制、照明系统等。该器件采用先进的沟槽式栅极技术和优化的设计,以提供高效能和高可靠性。VUE130-06NO7 是 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),其主要特点是高电流承载能力和低导通电阻。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大漏极电流(ID):130A(在25°C下)
导通电阻(RDS(on)):约2.7毫欧(典型值)
栅极电荷(Qg):约160nC(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-247AC
最大功率耗散(PD):约300W
VUE130-06NO7 具备多项卓越特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。其次,该器件采用了先进的沟槽式栅极技术,优化了电场分布,从而增强了器件的耐用性和稳定性。此外,VUE130-06NO7 的大电流承载能力使其能够应对高负载需求,适用于电机驱动、DC-DC转换器和电池管理系统等场景。
该MOSFET还具有优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其封装设计有效地提高了散热能力,确保在高功率操作时不会因过热而失效。此外,VUE130-06NO7 的栅极电荷(Qg)较低,使得开关速度更快,减少了开关损耗,从而进一步提高了系统的效率。
另一个显著的优势是其高可靠性和长寿命。VUE130-06NO7 经过严格测试,能够在极端工作条件下保持稳定性能,满足工业和汽车应用的高标准要求。这种可靠性和耐用性使其成为许多高要求电子系统中的首选器件。
VUE130-06NO7 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。常见的应用包括电源供应器、电机驱动器、DC-DC转换器、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备。由于其卓越的性能,该器件也广泛用于汽车电子系统,如电动车辆的电池管理和充电系统。
在电源管理系统中,VUE130-06NO7 能够提供高效的电能转换,减少能量损耗,提高系统的整体效率。在电机驱动领域,其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高性能电机控制的理想选择。此外,该MOSFET在照明系统中也可用于LED驱动电路,确保稳定且高效的光源控制。
STP130N6F6, STP130N6F7, STP120N6F7