型号：RCX700N20
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：200V
　　最大连续漏极电流(ID)：7A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：28A
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on)_max)：70mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on)_typ)：60mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压(Vth_min)：3.0V
　　阈值电压(Vth_max)：5.0V
　　栅极电荷(Qg_typ)：15nC @ VDS=100V, ID=3.5A
　　输入电容(Ciss_typ)：450pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss_typ)：110pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr_max)：25ns
　　功耗(PD)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOP-8

RCX700N20采用了Rohm独有的超结（Super Junction）MOSFET结构，在保持200V高击穿电压的同时实现了极低的导通电阻。这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域来优化电场分布，从而在不牺牲电压阻断能力的前提下大幅降低漂移区电阻。这使得其典型RDS(on)仅为60mΩ，最大值为70mΩ，远优于传统平面型或沟槽型MOSFET。低RDS(on)意味着更小的I2R损耗，尤其在大电流持续导通的应用中可显著提升能效，并减少散热需求。
　　该器件还具备出色的动态性能表现。其典型的总栅极电荷Qg仅为15nC，配合较低的输入与输出电容（Ciss=450pF，Coss=110pF），使得开关过程中的充放电能量大大减少，从而有效降低了开关损耗。这对于工作频率较高的应用如LLC谐振转换器、主动钳位反激式变换器等尤为重要，能够支持更高的开关频率以实现小型化磁性元件设计。
　　RCX700N20内置体二极管具有较快的反向恢复特性，trr最大值为25ns，减少了反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰问题。同时，该MOSFET经过优化设计，具备较强的抗dv/dt和di/dt能力，能够在快速切换过程中维持稳定性，避免误触发或振荡现象。其SOP-8封装不仅提供良好的电气隔离，还通过底部散热焊盘增强了热传导性能，便于PCB布局时进行有效的热管理。
　　在可靠性方面，RCX700N20通过了AEC-Q101认证，适用于汽车级应用环境。它能在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，展现出优秀的温度适应性和长期稳定性。器件还具备良好的抗雪崩能力，可在短时过压或感性负载关断情况下承受一定的能量冲击而不会损坏。此外，±30V的宽栅源电压范围提高了驱动兼容性，允许使用多种常见的驱动IC而无需额外保护电路。

RCX700N20广泛应用于各类中高功率电源系统中，尤其是在需要高效、高频和高可靠性的场合。常见应用包括工业用AC-DC开关电源、服务器电源模块、通信电源设备以及太阳能光伏逆变器中的直流斩波与桥式拓扑结构。由于其200V耐压等级适配于48V母线系统及其倍压应用，因此特别适用于电信整流器和轻型电动交通工具的电控单元。
　　在DC-DC转换器领域，RCX700N20常用于同步整流拓扑或半桥/全桥配置中作为主开关器件，其低导通电阻和快速开关特性有助于实现90%以上的转换效率。此外，在电机驱动应用中，例如伺服驱动器或步进电机控制器，该MOSFET可用于H桥电路中控制电流方向和大小，凭借其高电流承载能力和良好热性能保障长时间运行稳定性。
　　在消费类高端电源产品中，如大功率LED驱动电源、快充适配器和无线充电发射端，RCX700N20也能发挥其优势，特别是在ZVS（零电压开关）或ZCS（零电流开关）软开关拓扑中，其低输出电容和小Qg特性有助于实现真正的软开关操作，进一步降低EMI和热耗散。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电开关控制，提供安全可靠的通断功能。
　　得益于其SOP-8小型表面贴装封装，RCX700N20非常适合自动化生产和回流焊工艺，适用于追求小型化和高集成度的设计方案。无论是在工业、汽车还是新能源领域，这款MOSFET都展现了出色的综合性能和广泛适用性。

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