时间：2025/7/10 14:54:54
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RCX200N20 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用 N 沟道增强型技术，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器以及负载开关等应用中。其卓越的电气性能和可靠性使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
RCX200N20 的设计特点是具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关能力，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：-16A
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
导通电阻（典型值）：0.15Ω
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃~175℃
1. 高耐压能力，额定漏源电压为 200V，可满足高压应用场景需求。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在高电流条件下显著减少功率损耗。
3. 快速开关速度，确保高频应用中的高效运行。
4. 宽工作温度范围 (-55℃ 到 +175℃)，适应极端环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅封装。
6. 高可靠性与长寿命设计，适合长时间连续运行的设备。
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关。
2. 直流/直流转换器的核心组件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 工业逆变器及变频器中的关键器件。
5. 负载开关与保护电路中的开关元件。
6. 充电器和其他便携式设备的电源管理模块。
IRF840, K1208, FQD17N20C
