时间：2025/6/10 16:10:44
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IPB072N15N3 是一款 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，广泛应用于高频、高压以及大电流场景中。该器件采用先进的沟槽式结构设计，具有较低的导通压降和开关损耗，适用于工业控制、电机驱动、不间断电源（UPS）及太阳能逆变器等领域。
其主要特点包括高效率、低功耗、快速开关性能以及出色的热稳定性，非常适合需要高效功率转换的应用环境。
集电极-发射极击穿电压：1500V
连续集电极电流：72A
总功耗：400W
栅极-发射极开启电压：12~18V
导通压降（典型值）：1.8V
开关频率：最高支持 20kHz
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
IPB072N15N3 使用了最新的 IGBT 技术，确保其具备以下优势：
1. 极低的导通电阻和开关损耗，提高了整体效率。
2. 良好的短路耐受能力，增强了器件的可靠性。
3. 内置反并联二极管，有助于减少开关噪声和电磁干扰。
4. 高温稳定性，即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能。
5. 快速开关速度，适合高频应用环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该 IGBT 器件适用于多种高性能电力电子系统：
1. 工业电机驱动与控制
2. 太阳能逆变器及风力发电系统
3. 不间断电源（UPS）
4. 电动车及混合动力汽车中的 DC-DC 和 DC-AC 转换
5. 焊接设备与感应加热装置
6. 其他需要高压大电流处理能力的场合
IPW120N15K3, IRGB20C150D, IXGN120N15T4
