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CB2012T4R7M-T 发布时间 时间:2025/12/27 10:58:49 查看 阅读:11

CB2012T4R7M-T是一款由华新科(Walsin)生产的多层陶瓷贴片电感器(MLCI),属于CB系列,采用2012封装尺寸(即0805英制尺寸),广泛应用于便携式电子设备和高密度印刷电路板设计中。该电感器采用先进的叠层制造工艺,具有小型化、高可靠性及良好的磁屏蔽特性,适用于高频开关电源、射频电路以及各类噪声抑制场景。其标称电感值为4.7μH,允许±20%的容差(M级精度),能够在有限的空间内提供稳定的电感性能。CB2012T4R7M-T使用高温共烧陶瓷(HTCC)技术和内部银电极结构,确保了低直流电阻、高Q值和优异的温度稳定性。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的焊接可靠性和抗机械应力能力,适合回流焊工艺。由于其出色的频率响应和低损耗特性,CB2012T4R7M-T常被用于移动通信设备、蓝牙模块、智能手机电源管理单元、DC-DC转换器的滤波电路中。此外,该电感对电磁干扰(EMI)有良好的抑制作用,有助于提升系统整体的电磁兼容性(EMC)。在设计上,CB2012T4R7M-T兼顾了高性能与小型化需求,是现代高频、低功耗电子产品中的关键被动元件之一。

参数

型号:CB2012T4R7M-T
  制造商:Walsin(华新科)
  封装尺寸:2012(公制)/ 0805(英制)
  电感值:4.7μH
  容差:±20%(M)
  额定电流:60mA(典型)
  直流电阻(DCR):≤650mΩ(最大)
  自谐振频率(SRF):≥25MHz(典型)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-55°C 至 +125°C
  焊接方式:表面贴装(SMT)
  端子类型:镍/锡电极(Ni/Sn)
  产品类别:功率电感/高频电感

特性

CB2012T4R7M-T采用多层陶瓷与内部金属电极交替堆叠的结构设计,这种构造显著提升了单位体积内的电感密度,同时减少了外部磁场泄漏,增强了磁屏蔽效果。其内部电极为银材质,在高温共烧过程中形成致密导电路径,有效降低直流电阻,从而减少功率损耗并提高能量转换效率。该电感器具备较高的品质因数(Q值),在几十兆赫兹的工作频率范围内仍能保持较低的等效串联电阻(ESR),使其适用于高频信号处理和射频匹配电路。材料选择和烧结工艺保证了器件在宽温范围内的稳定性,即使在-40°C至+85°C的极端环境下也能维持电感特性的线性变化,避免因温度漂移导致电路性能下降。此外,CB2012T4R7M-T经过严格的湿度敏感等级测试(MSL=1),可在潮湿环境中长期存储而不影响后续焊接质量。其端电极采用双层镍锡镀层结构,不仅增强了可焊性,还提高了抗腐蚀能力和机械强度,确保在自动贴片过程中不会出现虚焊或脱落现象。器件符合AEC-Q200标准的部分要求,适用于对可靠性要求较高的消费类电子和工业控制领域。由于其紧凑的2012封装尺寸,CB2012T4R7M-T非常适合空间受限的应用场景,如穿戴设备、无线耳机、物联网传感器节点等。值得一提的是,该型号在生产过程中实施了严格的批次管控和电气参数筛选,确保出厂产品的参数一致性,便于大规模自动化生产中的良率控制。
  该电感器在电磁兼容性方面表现优异,能够有效抑制高频噪声传播,常用于电源输入端的滤波网络或作为LC滤波器的一部分,配合去耦电容共同消除开关电源产生的纹波电压。其自谐振频率通常高于25MHz,意味着在常规工作频段内呈现纯感性阻抗,避免因进入容性区域而导致电路失稳。此外,CB2012T4R7M-T具有较强的抗磁饱和能力,在额定电流范围内不易发生磁芯饱和现象,保障了电感值的稳定输出。综合来看,该器件集小型化、高效能、高可靠于一体,是现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

应用

CB2012T4R7M-T主要应用于各类便携式消费电子产品中的电源管理电路和射频前端模块。常见使用场景包括智能手机、平板电脑、智能手表、TWS耳机等设备的DC-DC升压或降压转换器中的储能与滤波电感。在这些应用中,它负责平滑输出电流、抑制开关噪声,并提高电源转换效率。此外,该电感也广泛用于无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee)的匹配网络中,用于实现天线阻抗匹配或巴伦电路中的高频滤波功能。在模拟信号链路中,CB2012T4R7M-T可用于构建低通或带通滤波器,以去除高频干扰信号,提升信噪比。工业控制领域的传感器信号调理电路、低功耗MCU供电系统同样会采用此类小尺寸电感进行电源去耦和噪声抑制。医疗电子设备中对电磁干扰敏感的场合,例如便携式监护仪或血糖仪,也会选用该型号来增强系统的电磁兼容性能。另外,在LED驱动电路中,它可以作为恒流源的储能元件,确保LED亮度稳定。由于其符合无铅焊接工艺要求,适用于现代环保型电子产品的大规模回流焊组装流程。总体而言,凡是对空间、效率和高频性能有较高要求的电子系统,均可考虑采用CB2012T4R7M-T作为关键的被动元件解决方案。

替代型号

LQM2BPN4R7MGRL
  DLW21HN4R7XK2L

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