类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压(Vds)：500V
　　最大栅极电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：23A
　　导通电阻(Rds(on))：0.21Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

23N50G MOSFET具有多项显著特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的最大漏极电压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和功率转换电路。其最大漏极电流为23A，表明在适当的散热条件下，可以处理较大的负载电流，满足高功率需求。
　　其次，导通电阻Rds(on)为0.21Ω，在Vgs=10V时具备较低的导通损耗，有助于减少系统发热并提高整体效率。这对于需要长时间运行的设备尤为重要，能够有效延长使用寿命并降低维护成本。
　　此外，23N50G采用TO-220封装，具备良好的热管理能力，能够快速将热量传导至散热片，从而保证器件在高负载下的稳定性。其功率耗散为150W，说明该器件在高功耗环境下仍能保持可靠运行。
　　最后，23N50G的工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种恶劣的工作环境，从低温启动到高温运行均能保持稳定性能。栅极电压范围为±30V，提供了较宽的控制范围，方便与多种驱动电路配合使用。

23N50G MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中。
　　在电源管理领域，该器件常用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，能够高效地将输入电压转换为稳定的输出电压，适用于服务器电源、工业电源和通信设备电源等场景。
　　在电机控制系统中，23N50G可用于H桥电路或PWM（脉宽调制）控制，实现对直流电机或无刷电机的精确控制。其高耐压和大电流能力，使其适用于电动工具、电动车控制器和自动化设备中的电机驱动电路。
　　此外，在DC-DC转换器中，23N50G可作为高频开关元件，用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，广泛应用于电池管理系统、太阳能逆变器和储能系统中。
　　在照明领域，该器件也可用于LED驱动器或高频镇流器，提供稳定的电流输出并提高能效。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，23N50G还常用于家电产品如电磁炉、电热水器和空调系统中，作为关键的功率开关元件。

IRF540N, FDP23N50, STF23N50, 26N50, 20N50