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RCX100N25 发布时间 时间:2025/12/25 12:37:59 查看 阅读:44

RCX100N25是一款由Richtek(立锜科技)推出的高性能、高效率的同步降压型DC-DC转换器芯片。该器件专为需要高效电源管理的便携式设备和中低功率系统设计,广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备以及嵌入式系统等领域。RCX100N25采用电流模式控制架构,具备快速的瞬态响应能力,能够在输入电压和负载变化时保持稳定的输出电压。其内部集成了高压侧和低压侧的MOSFET,无需外置肖特基二极管,从而简化了外围电路设计并提高了整体效率。该芯片支持宽范围的输入电压,通常在4.5V至28V之间,可调节的输出电压最低可达0.8V,最大持续输出电流可达10A,适用于多种电源轨需求。此外,RCX100N25还集成了多种保护功能,如过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)以及输出过压保护(OVP),确保系统在异常情况下仍能安全运行。封装方面,RCX100N25采用紧凑的散热增强型QFN封装,有助于提高热性能,适合高密度PCB布局。

参数

型号:RCX100N25
  制造商:Richtek(立锜科技)
  拓扑结构:同步降压(Buck)
  输入电压范围:4.5V 至 28V
  输出电压范围:0.8V 至 输入电压
  最大输出电流:10A
  开关频率:典型值 500kHz(可调)
  控制模式:峰值电流模式控制
  工作效率:高达95%以上(典型应用条件下)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(结温)
  封装类型:散热增强型QFN(具体引脚数需参考数据手册)
  保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)、输出过压保护(OVP)
  静态电流:典型值 60μA(关断模式)
  关断电流:小于1μA
  反馈参考电压:0.8V ±1%

特性

RCX100N25具备多项先进的技术特性,使其在同类同步降压转换器中表现出色。首先,它采用了峰值电流模式控制架构,这种控制方式不仅能够提供良好的线路和负载瞬态响应,还能实现逐周期的电流限制,提升了系统的稳定性和可靠性。通过外部电阻分压网络,用户可以轻松设定所需的输出电压,最低可调至0.8V,满足现代低电压数字核心供电的需求。芯片内置的上管和下管MOSFET经过优化设计,导通电阻低,减少了传导损耗,结合固定频率PWM调制或脉冲跳跃模式(PSM),可在轻载时自动切换以提升轻载效率,延长电池供电设备的续航时间。
  为了适应不同应用场景对开关噪声和滤波器尺寸的要求,RCX100N25允许用户通过外部电阻调节开关频率,典型值为500kHz,也可设置为更高频率以减小电感和电容体积。其宽输入电压范围(4.5V–28V)使其兼容多种电源输入,例如12V系统总线、PoE供电或锂电池组等。芯片集成了全面的保护机制,包括打嗝模式的过流保护,在发生短路时可有效限制功率耗散;热关断功能则在结温超过安全阈值时自动关闭输出,待温度下降后恢复正常工作,增强了长期运行的安全性。
  RCX100N25采用的散热增强型QFN封装不仅节省空间,还通过底部裸露焊盘将热量高效传导至PCB,显著改善热性能。此外,该芯片支持电源良好(PGOOD)指示信号输出,可用于系统监控和时序控制。整个设计无需外部补偿元件即可稳定工作,进一步简化了设计流程。这些特性共同使得RCX100N25成为高集成度、高效率、高可靠性的理想选择,特别适用于对空间和能效要求严苛的应用场景。

应用

RCX100N25因其高效率、高集成度和宽输入电压范围,广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中,常用于平板电脑、智能显示器、机顶盒和家庭网关等设备的主电源或内核供电模块。在工业自动化与控制系统中,可用于PLC模块、传感器供电单元及远程I/O设备的电源转换,适应工业现场复杂的电压环境。通信基础设施方面,该芯片适用于路由器、交换机、光模块和基站中的辅助电源设计,提供稳定可靠的低压直流输出。此外,在嵌入式计算平台如单板计算机(SBC)或边缘AI设备中,RCX100N25可为处理器、FPGA或ASIC的核心电压(VCCINT)和I/O电压(VCCO)供电,满足动态负载变化下的快速响应需求。由于其支持宽温工作范围和具备多重保护功能,也适合部署在户外设备或恶劣环境下的电源系统中。电动汽车充电桩、电动工具和无人机等新兴应用同样可利用其高功率密度特性构建紧凑型电源方案。总而言之,任何需要将较高直流电压高效转换为稳定低压大电流的场合,RCX100N25都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

RT7272GQW
  MP2315DN-LF-Z
  TPS54331DR

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RCX100N25参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FM
  • 包装散装