类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V~4.0V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：0.13Ω @ Vgs = 10V
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

RCR110DNP-100M MOSFET具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率，使其在高电流应用中表现优异。它还具备较高的耐压能力，能够承受高达100V的漏源电压，适合多种电源管理应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽广，允许使用常见的10V或12V栅极驱动电路进行控制，简化了设计过程。
　　这款MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，提高了器件的热稳定性和可靠性。其低导通电阻不仅减少了导通状态下的功率损耗，还有助于降低系统的整体发热量，从而延长使用寿命。同时，该器件的快速开关特性有助于提高转换效率，特别适合用于高频开关应用。
　　TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，使得RCR110DNP-100M能够在较高的环境温度下可靠运行。封装设计也便于安装在PCB上，并且支持表面贴装工艺，降低了制造成本和提高了生产效率。此外，该器件的内部结构设计优化了短路耐受能力，使其在异常工作条件下也能保持一定的稳定性。

RCR110DNP-100M广泛应用于各类电力电子设备中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池管理系统、电机驱动器以及各种类型的功率开关电路。在汽车电子领域，该MOSFET常用于车载充电器、LED照明驱动电路以及车身控制模块中。此外，在工业自动化系统中，它也常被用于变频器、伺服驱动器以及PLC控制系统中的电源部分。
　　由于其高耐压和低导通电阻的特性，RCR110DNP-100M也非常适合用于太阳能逆变器、UPS不间断电源系统以及服务器电源模块等高可靠性要求的应用。在这些场合中，该MOSFET不仅能够提供稳定的性能，还能有效提高系统的整体效率和稳定性。此外，其快速开关特性也使其在高频变换器中表现出色，减少了能量损耗并提高了响应速度。

SiHF10N100E, FDPF10N100, IRFR120N